| 发明名称 | 存储元件和存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化电子来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层中，以及使微细氧化物分散在形成了存储层的铁磁层的整个或部分中。 | ||
| 申请公布号 | CN101060160A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200710096904.9 | 申请日期 | 2007.04.16 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 细见政功;大森广之;山元哲也;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L27/22(2006.01);G11C11/16(2006.01);H01F10/32(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种存储元件，包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息，其中，通过中间层对所述存储层设置磁化固定层，所述中间层由绝缘体形成，自旋极化电子以堆叠方向注入以改变所述存储层的磁化方向，从而将信息记录在所述存储层中，以及微细氧化物分散在形成所述存储层的铁磁层的整个或部分中。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||