| 发明名称 | 适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层SiO<SUB>2</SUB>或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用溅射方法沉积厚度为2－5nm的钌薄膜，然后经高温快热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN101060078A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200710040770.9 | 申请日期 | 2007.05.17 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 丁士进;陈玮;张敏;张卫 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/285(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)在经传统工艺进行清洗的硅片表面热生长一层SiO2，或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜；(2)采用溅射方法，在步骤(1)中形成的氧化物薄膜上溅射淀积超薄金属Ru，厚度为2-5nm，所用的溅射靶为钌靶；(3)高温快速热退火，退火温度为700-1000℃，退火时间为10-300秒。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||