| 发明名称 | 电极及其制造方法,以及具有该电极的半导体器件 | ||
| 摘要 | 通过刻蚀金属板形成金属柱。因此，金属柱可以形成有精确的高度和精细间距。通过使用上封装中形成的金属柱将上和下封装连接在一起，能够获得具有精细电极间距的小型化半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101060087A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200710096149.4 | 申请日期 | 2007.04.13 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社;NEC凸版电子基板株式会社 | 发明人 | 山口昌浩;中村博文 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/498(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01) | 主分类号 | H01L21/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谷惠敏;钟强 |
| 主权项 | 1.一种电极制造方法，包括以下步骤：从其背面刻蚀金属板，由此形成金属柱，该金属柱具有由所述金属板的厚度决定的高度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||