钟控反相器、“与非”门、“或非”门和移位寄存器

摘要

晶体管的门限电压之发生波动是因为所用衬底或制造步骤的差异引起的栅极绝缘薄膜的薄膜厚度波动或者栅极长度和栅极宽度波动。为了解决这个问题，本发明提供包括串联的第一晶体管和第二晶体管的钟控反相器以及包括串联的第三晶体管和第四晶体管的补偿电路。在钟控反相器中，第三晶体管和第四晶体管的栅极彼此相连，第三晶体管和第四晶体管的漏极分别连接到第一晶体管的栅极，第一晶体管和第四晶体管的源极分别电连接到第一电源，第二晶体管的源极电连接到第二电源，输入第三晶体管的源极的信号的幅度小于第一电源和第二电源之间的电位差。

主权项

1.一种移位寄存器，包括：第一晶体管和与所述第一晶体管串联的第二晶体管，其中第一晶体管和第二晶体管的栅电极彼此相连接；包括第三晶体管和与所述第三晶体管串联的第四晶体管的第一时钟反相器，其中第三晶体管的栅电极连接到第一和第二晶体管；包括彼此串联的第五、第六、第七和第八晶体管的第二时钟反相器，其中第六和第七晶体管连接到第三和第四晶体管；和连接到所述第三和第四晶体管以及第六、第七晶体管的栅电极的一个反相器。