| 发明名称 | 为介质CVD膜实现晶片间厚度均匀性的高功率介质干燥 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法，其中，在衬底上沉积有机硅材料之前，用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法，该方法可以与干燥处理相结合。 | ||
| 申请公布号 | CN101061256A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200580037552.9 | 申请日期 | 2005.11.03 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 纳格哈彦·哈加高帕兰;夏立群;米歇拉·巴尔瑟努;托马斯·诺瓦克;哈恩简纳·沙赫;许汇文;查德·彼得森;德里克·R·维蒂;海澈姆·穆萨德 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 1.一种对沉积室进行干燥的方法，包括：在所述室的至少一个内部表面上沉积一种或多种无碳材料的一个或多个层；然后将一个或多个衬底传送到所述沉积室中；然后在所述室中的至少一个衬底上沉积一种或多种有机硅材料的一个或多个层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||