| 发明名称 | 用于非破坏性的检查半导体器件的装置和方法 | ||
| 摘要 | 一种非损坏性的检查方法，用于在半导体器件芯片上进行非损坏性检查，该芯片上包含在衬底(31)上相互接近地设置的第一和第二导体，其中形成在衬底上的热电动势产生器(21)的一端通过第一金属线连接到第一导体，同时热电动势产生器的另一端通过第二金属线连接到第二导体，所述非损坏性的检查方法包括如下步骤：在热电动势产生器上辐照激光；检测当激光辐照在热电动势产生器上时产生的磁场；基于检测的结果，确定是否存在与第一和第二导体相关的短路缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN100345271C | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200410056068.8 | 申请日期 | 1999.09.28 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 二川清 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种非损坏性的检查方法，用于在半导体器件芯片上进行非损坏性检查，该芯片上包含在衬底(31)上相互接近地设置的第一和第二导体，其中形成在衬底上的热电动势产生器(21)的一端通过第一金属线连接到第一导体，同时热电动势产生器的另一端通过第二金属线连接到第二导体，所述非损坏性的检查方法包括如下步骤：在热电动势产生器上辐照激光；检测当激光辐照在热电动势产生器上时产生的磁场；基于检测的结果，确定是否存在与第一和第二导体相关的短路缺陷。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||