| 发明名称 | 低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种直径至少约3英寸和1c螺旋位错密度小于约2000cm<SUP>－2</SUP>的高质量SiC单晶晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN101061262A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200580033838.X | 申请日期 | 2005.09.27 |
| 申请人 | 格里公司 | 发明人 | 阿德里安·波维尔;马克·布莱德;斯蒂芬·G·米勒;瓦莱里·F·茨韦特科夫;罗伯特·泰勒·莱昂纳德 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01) | 主分类号 | C30B23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐江华;王珍仙 |
| 主权项 | 1、一种高质量SiC单晶晶片，具有至少约3英寸直径和小于约2500cm-2 的1c螺旋位错密度。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||