整合型晶体管及其制造方法

摘要

本发明是一种整合型晶体管及其制造方法，主要提出制作一完全空乏晶体管的方法，并且将完全空乏晶体管、部分空乏晶体管与多重栅极晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调整晶体管主动区的宽度，以决定晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的主动区宽度较部分空乏晶体管的主动区宽度为窄。不断地减少主动区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当上述多重栅极晶体管的主动区宽度减少至小于空乏区宽度的两倍时，上述多重栅极晶体管便是完全空乏。

主权项

1.一种整合型晶体管，其特征在于所述整合型晶体管包括：一基底，上述基底包括一半导体层与位于上述半导体层下的一绝缘层；一多重栅极晶体管，设置于上述基底上，一部分空乏晶体管，设置于上述基底上，具有一第一栅极长度以及一第一主动区宽度；以及一完全空乏晶体管，设置于上述基底上，并具有一大于上述第一栅极长度的第二栅极长度或一小于上述第一主动区宽度的第二主动区宽度；其中所述的多重栅极晶体管包括：一鳍形半导体层，位于上述绝缘层上，其中上述鳍形半导体层具有一源极、一漏极以及位于上述源极和上述漏极之间的一沟道区；一栅极介电层，位于上述鳍形半导体层的上述沟道区表面；以及一栅极电极，位于上述栅极介电层上，并包覆对应于上述沟道区的上述鳍形半导体层的两侧壁和一顶面。