| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种半导体元件及其制造方法，此半导体元件的结构包括：一栅极介电层，覆盖于一沟道区上；一源极区及一漏极区，位于该沟道区的对称侧，其中沟道区包含有第一半导体材料而源极区及漏极区包含有第二半导体材料；一栅极，覆盖于栅极介电层上；以及一第一间隔物及一第二间隔物，形成于栅极两侧上，其中此些间隔物各包含有邻近于该沟道区的一空隙(void)。 | ||
| 申请公布号 | CN100345308C | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200410006075.7 | 申请日期 | 2004.02.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯志欣;杨育佳;李文钦;胡正明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，包括：一栅极介电层，覆盖于一沟道区上；一源极区及一漏极区，位于该沟道区的对称侧，其中该沟道区包含有第一半导体材料而该源极区及漏极区包含有第二半导体材料；一栅极，覆盖于该栅极介电层上；以及一第一间隔物及一第二间隔物，形成于该栅极两侧上，其中所述间隔物各包含有邻近于该沟道区的一空隙。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||