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发明名称 Method for Forming a Gate Dielectric of a Semiconductor Device
摘要
申请公布号 KR100769135(B1) 申请公布日期 2007.10.22
申请号 KR20050074217 申请日期 2005.08.12
申请人 发明人
分类号 H01L21/31;H01L21/336 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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