| 主权项 |
1.一种溅镀标靶材料,其具有一包含Cr-C、Cr-M-C或Cr- M-1-M2-C之合金系统,其中C占至少0.5原子百分比且至 多20原子百分比;M占至少0.5原子百分比且至多20原 子百分比,并系选自由Ti、V、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta 及W组成之群之一元素;M1占至少0.5原子百分比且至 多20原子百分比,并系选自由Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf 、Ta及W组成之群之一元素;且M2占至少0.5原子百分 比且至多10原子百分比,并系选自由Li、Mg、Al、Sc 、Mn、Y及Te组成之群之一元素。 2.如请求项1之溅镀标靶材料,其中C进一步占至少1. 0原子百分比且至多10原子百分比。 3.如请求项1之溅镀标靶材料,其中C进一步占至少1. 5原子百分比且至多8原子百分比。 4.如请求项1之溅镀标靶材料,其中M包含Mo。 5.如请求项4之溅镀标靶材料,其中该合金系统系选 自由Cr-20Mo-6C、Cr-20Mo-2C、Cr-6Mo-4C、Cr-20Mo-4C及Cr-6Mo- 2C组成之群。 6.如请求项1之溅镀标靶材料,其中该合金系统系选 自由Cr-4C、Cr-15W-5C、Cr-20Mo-2Ti-2C及Cr-20Mo-2Ta-2C组成 之群。 7.一种磁记录媒体,其包含一基板及至少一底层,该 底层具有一包含Cr-C、Cr-M-C及Cr-M-1-M2-C之合金系统, 其中C占至少0.5原子百分比且至多20原子百分比;M 占至少0.5原子百分比且至多20原子百分比,并系选 自由Ti、V、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta及W组成之群之一 元素;M1占至少0.5原子百分比且至多20原子百分比, 并系选自由Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta及W组成之群 之一元素;且M2占至少0.5原子百分比且至多10原子 百分比,并系选自由Li、Mg、Al、Sc、Mn、Y及Te组成 之群之一元素。 8.如请求项7之磁记录媒体,其中C进一步占至少1.0 原子百分比且至多10原子百分比。 9.如请求项7之磁记录媒体,其中C进一步占至少1.5 原子百分比且至多8原子百分比。 10.如请求项7之磁记录媒体,其中M包含Mo。 11.如请求项10之磁记录媒体,其中该合金系统系选 自由Cr-20Mo-6C、Cr-20Mo-2C、Cr-6Mo-4C、Cr-20Mo-4C及Cr-6Mo- 2C组成之群。 12.如请求项7之磁记录媒体,其中该合金系统系选 自由Cr-4C、Cr-15W-5C、Cr-20Mo-2Ti-2C及Cr-20Mo-2Ta-2C组成 之群。 13.一种制造一溅镀标靶材料之方法,其包含: (a)选择元素或其元素组合之粉末材料以用于一包 含Cr-C、Cr-M-C或Cr-M-1-M2-C之合金系统, 其中C占至少0.5原子百分比且至多20原子百分比;M 占至少0.5原子百分比且至多20原子百分比,并系选 自由Ti、V、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta及W组成之群之一 元素;M1占至少0.5原子百分比且至多20原子百分比, 并系选自由Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta及W组成之群 之一元素;且M2占至少0.5原子百分比且至多10原子 百分比,并系选自由Li、Mg、Al、Sc、Mn、Y及Te组成 之群之一元素,且 其中该等粉末材料系经选择以具有对一溅镀标靶 材料有效之至少一纯度値、网目尺寸及粒子形态; 及 (b)组合元素或其组合之该等所选粉末材料以产生 用于该合金系统之未经压实调配物;及 (c)致密化该未经压实之调配物以产生一溅镀标靶 材料。 14.如请求项13之方法,其中C进一步占至少1.0原子百 分比且至多10原子百分比。 15.如请求项13之方法,其中C进一步占至少1.5原子百 分比且至多8原子百分比。 16.如请求项13之方法,其中M包含Mo。 17.如请求项16之方法,其中该合金系统系选自由Cr- 20Mo-6C、Cr-20Mo-2C、Cr-6Mo-4C、Cr-20Mo-4C及Cr-6Mo-2C组成 之群。 18.如请求项13之方法,其中该合金系统系选自由Cr-4 C、Cr-15W-5C、Cr-20Mo-2Ti-2C及Cr-20Mo-2Ta-2C组成之群。 19.如请求项13之方法,其中该元素组合包含铬合金 。 20.如请求项19之方法,其中该铬合金包含碳化铬。 21.如请求项13之方法,其中该元素组合包含碳化物 或含碳母合金。 22.如请求项13之方法,其中该碳化物或含碳母合金 系选自由Ti-C、V-C、Y-C、Zr-C、Nb-C、Mo-C、Hf-C、Ta-C 及W-C、Li-C、Mg-C、Al-C、Sc-C、Mn-C、Y-C及Te-C组成之 群。 图式简单说明: 图1描绘用于习知磁记录媒体之一典型薄膜堆叠; 图2描绘根据本发明之一态样之一薄膜堆叠; 图3展示扫描电子显微照片(SEM)之一背散射成像模 式,其系藉由对应于Cr-14C原子百分比(at%)之元素的 预合金组合之粒子截面而获得; 图4展示一SEM显微照片,其说明藉由压实Cr与Cr2C粉 末掺合物所获得的Cr-C合金中之碳化物相的分布; 且 图5展示一SEM显微照片,其说明藉由压实Cr、Mo及Mo2C 粉末掺合物所获得的Cr-Mo-C合金中之碳化物相的分 布。 |
