UV微影技术中改善高黏滞性厚膜光阻涂布制程的方法

摘要

本发明提出一种于UV微影技术中改善高黏滞性厚膜光阻涂布制程的方法，将两同质但溶剂含量不同之厚膜光阻，先将黏滞性较低的光阻以旋涂方式涂布至晶片上，再将高黏滞性的光阻以螺旋方式由外向内涂布，并以重量换算厚度以改善传统旋涂方式造成厚度不易控制的问题；再者将涂布完成之晶片于软烤(Soft Bake)过程中将晶片以及缓慢之转速旋转，利用光阻本身之流动性随软烤时间递减的特性来改善光阻之平整度。以MicroChem Corp.(MCC)所开发之厚膜光阻SU8 2035及SU8 2100为例，其黏滞系数分别为7000(cSt)及45000(cSt)，将黏滞系数低的光阻 SU8 2035以固定转速旋涂至晶片后，将黏滞系数高的光阻SU8 2100以螺旋方式由晶片外围向中心涂上，并同时量测重量，以重量换算要求的厚度，完成后于热板(hot plate)上加热，当温度超过光阻的玻璃转化温度(Glass Transition Temperature，Tg)后，光阻因黏滞性降低，加上光阻本身之内聚力及表面张力，会使得光阻均匀的摊涂至晶片表面；并于软烤步骤时，以缓慢之速度转动晶片，如此将对光阻之平整度有极大之改善，以厚度500μm光阻为例，平整度可达±10μm。

主权项

1.一种改善高黏滞性厚膜光阻涂布制程的方法,包 括: 一将两种同质但溶剂含量不同之厚膜光阻相互覆 盖,该方式包括: 一利用点胶筒将黏滞系数低的光阻以固定转速旋 涂至晶片后,再使用点胶筒将黏滞系数高的光阻以 螺旋方式由晶片外围向中心涂上; 一并同时使用磅秤来量测重量,以重量换算要求的 厚度;以及 一于软烤过程中,以固定时间间隔转动热板上加热 盘的固定角度。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该点胶 筒可以手动或二轴机构方式移动。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该磅秤 当达到所设定之重量时,可送一讯号至点胶机以停 止光阻之供应。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该加热 盘可以设定温度及时间控制程序。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该加热 盘可以手动方式或自动方式设定转动。 图式简单说明: 第一图一为习知之UV微影技术制程程序示意图; 第二图为本发明之涂布程序示意图; 第三图为本发明之涂布方式示意图;以及 第四图为本发明之软烤方式示意图。