| 主权项 |
1.一种薄膜材料(1),其具有 基板(2), 形成于该基板(2)上之1层、或2层以上的中间薄膜 层(3),以及 形成于该中间薄膜层(3)上之单晶薄膜层(4), 该中间薄膜层(3)之中,至少一者与该单晶薄膜层(4) 对向之上部表面(10)系经研磨加工。 2.一种薄膜材料(1),其具有 基板(2), 形成于该基板(2)上之1层、或2层以上的中间薄膜 层(3),以及 形成于该中间薄膜层(3)上之单晶薄膜层(4), 该中间薄膜层与该单晶薄膜层接触之表面(10)系经 研磨加工。 3.一种薄膜材料(1),其具有 基板(2), 中间薄膜层(3),其含有形成于该基板(2)上之1层、 或2层以上的下部中间薄膜层(3a),及形成于该下部 中间薄膜层(3a)上之1层、或2层以上的上部中间层( 3b),以及 形成于该中间薄膜层(3)上之单晶薄膜层(4), 该下部中间薄膜层(3a)与该上部中间薄膜层(3b)接 触之表面(10)系经研磨加工。 4.如申请专利范围第1~3项中任一项之薄膜材料,其 中该基板(2)与该中间薄膜层(3)对向之上部表面(20) 系经研磨加工。 5.如申请专利范围第1~3项中任一项之薄膜材料,其 中上述单晶薄膜层(4)系超导(superconductive)薄膜层 。 6.如申请专利范围第5项之薄膜材料,其中 构成该基板(2)之材料系金属, 构成该中间薄膜层(3)之材料系具有岩盐型、萤石 型、钙钛矿型、烧绿石型之任一结晶构造的氧化 物, 构成该超导薄膜层(4)之材料系RE-123系超导体。 7.一种薄膜材料之制法,其包括 基板(2)之准备步骤(S10),及 该基板(2)上之1层、或2层以上的中间薄膜层(3)之 形成步骤(S20、S21、S22),及 研磨加工该中间薄膜层(3)之最表面的加工步骤(S30 ),以及 该中间薄膜层(3),经该加工步骤研磨之最表面上的 单晶薄膜层(4)之形成步骤(S40)。 8.一种薄膜材料之制法,其包括 基板(2)之准备步骤(S10),及 该基板(2)上之1层、或2层以上的下部中间薄膜层(3 a)之形成步骤(S21),及 研磨加工该下部中间薄膜层(3a)之最表面的加工步 骤(S30),及 于下部中间薄膜层(3a)中,经该加工步骤(S30)研磨的 最表面上之1层、或2层以上的上部中间薄膜层(3b) 之形成步骤(S22),以及 该上部中间薄膜层(3b)上的单晶薄膜层(4)之形成步 骤(S40)。 9.如申请专利范围第7或8项之薄膜材料之制法,其 中更包括研磨加工该基板之表面的基板加工步骤( S50)。 10.如申请专利范围第7或8项之薄膜材料之制法,其 中该单晶薄膜层之形成步骤(S40)系超导薄膜层之 形成步骤。 图式简单说明: 第1图依本发明之超导线材的实施形态1之部分剖 视示意图。 第2图用以说明第1图之超导线材的制法之流程图 。 第3图第1图之超导线材的实施形态1之变化例的部 分剖视示意图。 第4图用以说明第3图之超导线材的制法之流程图 。 第5图依本发明之超导线材的实施形态2之部分剖 视示意图。 第6图用以说明第5图之超导线材的制法之流程图 。 第7图依本发明之超导线材的实施形态3之部分剖 视示意图。 第8图用以说明第7图之超导线材的制法之流程图 。 第9图第7图之依本发明之超导线材的实施形态3之 变化例的部分剖视示意图。 第10图依本发明之超导线材的实施例2之部分剖视 示意图。 |
