| 主权项 |
1.一种光反应化合物,由式(1)所表示: 其中n为20-1000之整数; m为1-5之整数;以及 R为氢原子、CN、C1-C5的烷氧基、卤素原子或顺丁 烯二醯亚胺基。 2.如申请专利范围第1项所述之光反应化合物,其中 式(1)所表示之该光反应化合物为式(2)所表示之化 合物: 其中n为20-1000之整数。 3.如申请专利范围第1项所述之光反应化合物,其中 式(1)所表示之该光反应化合物为式(3)所表示之化 合物: 其中n为20-1000之整数。 4.一种使用如申请专利范围第1-3项中任一项所述 之光反应化合物制造的液晶对准层。 5.一种制造液晶对准层之方法,包含: 将如申请专利范围第1-3项中任一项所述之光反应 化合物应用于一基板; 将偏振紫外光照射于该光反应化合物上,以使该光 反应化合物二聚而形成一对准层;以及 于该对准层之玻璃转换温度或更低温度下,对该对 准层进行一退火制程。 6.如申请专利范围第5项所述之制造液晶对准层之 方法,其中当该光反应化合物为式(2)所表示的化合 物时,其中n为20-1000之整数,于120-150℃下进行该退 火制程。 7.如申请专利范围第5项所述之制造液晶对准层之 方法,其中当该光反应化合物为式(3)所表示的化合 物时,其中n为20-1000之整数,于120-150℃下进行该退 火制程。 8.如申请专利范围第5项所述之制造液晶对准层之 方法,其中该退火制程进行0.5-100分钟。 9.一种包含如申请专利范围第4项所述之液晶对准 层的液晶显示元件。 图式简单说明: 图1为根据本发明之一实施例的一液晶显示元件的 示意图。 图2为说明对准关于实例4中制造的一液晶对准层 之退火时间的变化的图表。 |
