| 主权项 |
1.一种使用化学机械平坦化(CMP)设备处理晶圆的方 法,包含: (a)提供一待处理晶圆; (b)将待涂布于一CMP设备的研磨垫之研浆予以加热; (c)涂布加热过之研浆于研磨垫; (d)使用加热过之研浆研磨晶圆; (e)停止加热供后续之待处理晶圆用之研浆。 2.如申请专利范围第1项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,其中,该研浆被加热到大约70F 与大约110F间之温度,该温度高于环境温度。 3.如申请专利范围第1项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,其中,从研磨开始,晶圆的研磨 速率处于一相当稳定的状态。 4.如申请专利范围第1项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,更包含: 在研磨停止之后降低CMP设备的温度至一起始状态 温度; 重复操作(a)到(e)。 5.如申请专利范围第4项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,其中,该研磨停止是起因于研 磨异常。 6.如申请专利范围第4项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,其中,降低该CMP设备的温度至 起始温度包含用液体冲洗该UP设备。 7.如申请专利范围第6项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,其中,该液体为去离子水。 8.如申请专利范围第1项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,其中,该晶圆为在一多晶圆处 理操作下的起始晶圆。 9.如申请专利范围第1项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,其中,该研浆被加热至相当于 该研磨操作的一设定点温度之温度。 10.如申请专利范围第1项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,其中,该加热停止包含于该晶 圆之研磨完成后关闭供后续待处理晶圆研磨用之 一研浆加热器。 11.如申请专利范围第1项之使用化学机械平坦化设 备处理晶圆的方法,更包含: 在操作(c)之后和操作(d)之前均匀分布该加热过之 研浆于该研磨垫上。 12.一种使用化学机械平坦化(CMP)设备处理晶圆的 方法,包含: (a)提供一待处理晶圆; (b)将待涂布于一CMP设备的研磨垫之研浆加热到70F 至100F之间; (c)涂布加热过之研浆于研磨垫; (d)均匀分布该加热过之研浆于该研磨垫上; (e)使用加热过之研浆研磨晶圆; (f)停止加热供后续之待处理晶圆用之研浆; (g)当研磨异常的情形发生时, 停止研磨, 降低CMP设备的温度至一起始状态温度,并重复操作 (a)到(f)。 13.如申请专利范围第12项之使用化学机械平坦化 设备处理晶圆的方法,其中,该温度为70F到100F之间, 高于环境温度。 14.如申请专利范围第12项之使用化学机械平坦化 设备处理晶圆的方法,其中,该研磨停止是起因于 研磨异常。 15.如申请专利范围第12项之使用化学机械平坦化 设备处理晶圆的方法,其中,降低该CMP设备的温度 至起始温度包含用液体冲洗该CMP设备。 16.如申请专利范围第12项之使用化学机械平坦化 设备处理晶圆的方法,其中,该研浆被加热至相当 于该研磨操作的一设定点温度之温度。 17.一种电脑可读媒体,包含用来执行一使用化学机 械平坦化(CMP)设备以处理晶圆的方法之程式指令, 其中,该电脑可读媒体包含: (a)提供一待处理晶圆的程式指令; (b)将待涂布于一CMP设备的研磨垫之研浆予以加热 的程式指令; (c)涂布加热过之研浆于研磨垫的程式指令; (d)使用加热过之研浆研磨晶圆的程式指令; (e)停止加热供后续之待处理晶圆用之研浆的程式 指令。 18.如申请专利范围第17项之一电脑可读媒体,其中, 该研浆被加热至介于约70F与110F间的温度。 19.如申请专利范围第17项之一电脑可读媒体,更包 含:在研磨停止后降低CMP设备的温度至一起始状态 温度的程式指令;及 重复程式指令(a)到(e)的程式指令。 20.如申请专利范围第17项之一电脑可读媒体,更包 含:程式指令以均匀分布该加热研浆于该研磨垫上 在程式指令(c)之后和程式指令(d)之前。 图式简单说明: 图1系显示一典型利用在CMP系统里的一线性研磨设 备。 图2系显示依本发明的实施例之具有一研浆加热器 的CMP系统。 图3系依本发明一实施例在启动时或重新启动时用 以处理一起始晶圆的研浆加热制程之时间线。 图4系说明依本发明一实施例的一模组CMP系统。 图5系为一流程图定义依本发明一实施例的CMP系统 之预加热方法。 图6系用以显示在依本发明一实施例的研磨操作中 发生研磨异常时,用来预加热CMP系统的方法之流程 图。 |
