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发明名称 A PROCESS FOR FORMING AN ULTRASHALLOW JUNCTION IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AS AN INTEGRAL PART OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100768500(B1) 申请公布日期 2007.10.19
申请号 KR20067015937 申请日期 2006.08.07
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/3115;H01L21/3215;H01L21/335;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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