GRABEN-MOSFET-STRUKTUR MIT GERINGER GATE-LADUNG,申请号DE2001625784T-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	GRABEN-MOSFET-STRUKTUR MIT GERINGER GATE-LADUNG
摘要
申请公布号	DE60125784(T2)	申请公布日期	2007.10.18
申请号	DE2001625784T	申请日期	2001.08.29
申请人	GENERAL SEMICONDUCTOR INC.	发明人	HSHIEH, FWU-IUAN;SO, CHONG;TSUI, YAN MAN
分类号	H01L29/00;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78	主分类号	H01L29/00
代理机构		代理人
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