发明名称 有机半导体元件的制造方法及使用于该方法中的绝缘膜形成用组成物
摘要 本发明提供一种可减少分子间之空隙,以形成致密的绝缘膜之绝缘膜形成用组成物、及由该组成物所构成之绝缘膜。另外,提供一种经藉由使用该绝缘膜,即可实现低电压驱动,且驱动电压值稳定的有机半导体元件。一种绝缘膜形成用组成物,系含有具有倍半矽氧烷(silsesquioxane)骨架之树脂成份(A),用于在有机半导体元件之闸极层与有机半导体膜层之层间形成绝缘膜之绝缘膜形成用组成物,其中该树脂成份(A)系含有具有以如下所示之通式(a-1)所代表的结构单元(a1)之树脂(A1):式中,X系代表碳原子数为1至15之伸烷基、或碳原子数为6至15之二价的芳香族烃基,R1系代表氢原子、碳原子数为1至15之烷基、或碳原子数为2至15之烷氧基烷基,R2系代表碳原子数为1至4之烷基,且n系0或1。
申请公布号 TW200739920 申请公布日期 2007.10.16
申请号 TW096105858 申请日期 2007.02.15
申请人 东京应化工业股份有限公司;国立大学法人大阪大学 发明人 緖方寿幸;川名大助;羽田英夫;高桥元树;大森裕;井博武
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 日本