发明名称 | 画素结构的制造方法 | ||
摘要 | 一种画素结构的制造方法,其先在基板上形成闸极、扫瞄线以及至少一第一辅助图案。接着在基板上形成闸绝缘层,覆盖住闸极以及扫瞄线,且暴露出第一辅助图案以及部分扫瞄线。之后在闸极上方的闸绝缘层上形成通道层。接着形成源极、汲极、资料线、上电极以及至少一第二辅助图案,其中资料线会与暴露出来的第一辅助图案电性连接,且第二辅助图案会与暴露出来的扫瞄线电性连接。之后,形成保护层以覆盖住源极、汲极、资料线、第二辅助图案以及上电极。然后在保护层上形成画素电极,画素电极会与汲极以及上电极电性连接。 | ||
申请公布号 | TW200739918 | 申请公布日期 | 2007.10.16 |
申请号 | TW095113330 | 申请日期 | 2006.04.14 |
申请人 | 广辉电子股份有限公司 | 发明人 | 董畯豪 |
分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚二路189号 |