半导体装置之制造方法及洗净装置

摘要

本发明之半导体装置之制造方法，其特征在于：对半导体基板或形成于该半导体基板上之构造体进行乾式蚀刻；将液体供给至上述半导体基板；测量供给后之上述液体之电阻率或导电率；于去除附着于上述半导体基板或上述构造体之蚀刻残渣物时，以基于上述液体之电阻率或导电率之特定时间，将去除上述蚀刻残渣物之去除液供给至上述半导体基板。