| 摘要 |
本发明公开了一种用于制造例如矽上矽的接合基板结构的方法。在一种具体实施例中，本方法包括提供从耦合到第二矽基板的第一矽基板转移的预定厚度的单晶矽材料。在一种具体实施例中，第二矽基板具有第二表面区域，第二表面区域接合到第一表面区域以形成具有第一特性的介面区域，第一表面区域来自该厚度的单晶矽材料，第一特性包括该厚度的单晶矽材料与第二矽基板之间的氧化矽材料。该方法包括使介面区域接受热处理以使介面区域从第一特性改变到第二特性。在一种具体实施例中，第二特性中没有氧化矽材料，并在该厚度的单晶矽材料与第二矽基板之间提供了磊晶形成的矽材料。该方法包括在热处理过程中维持介面区域没有多个空洞，以将该厚度的单晶矽材料电耦合到第二矽基板。 |
