降低插入损失及提供MOSFET开关的电源切断保护之方法METHOD FOR REDUCING INSERTION LOSS AND PROVIDING POWER DOWN PROTECTION FOR MOSFET SWITCHES

摘要

一种包含单一或并联之相反极性之FET的FET开关，其具有由内部供电轨所驱动之井区。在一种情形中，藉由其他驱动FET开关，该内部供电轨被逻辑地耦接至高于正电源或讯号位准的电位，其中该PMOS FET的井区将不允许该汲极/源极至井区的二极体成顺向偏压。在第二个情况中，第二供电轨被逻辑地耦接至低于输入讯号或者接地之任一个的电位，其中该NMOS FET的井区将不允许该汲极/源极至井区的二极体成顺向偏压。