| 摘要 |
本发明系关于一种发光二极体(100、109)，其包括：至少一个p-掺杂型结构；复数个n-掺杂型氧化锌(ZnO)奈米导线(104)，其布置于该至少一个p-掺杂结构上由此形成复数个p-n接面(107a、107b)；一绝缘结构(105)，其布置于该复数个ZnO-奈米导线(104)中以使该复数个p-n接面(107a、107b)电分离；及一透射导电层(106)，其布置于该至少一个绝缘结构(105)上且与该复数个ZnO-奈米导线(104)电接触，以能够将一电压施加于该复数个p-n接面(107a、107b)上，由此达成光之发射。上述发光二极体(100、109)之一优点系其改良之宽频谱分布。此外，当使用ZnO-奈米导线(104)时，可达成一高亮度。 |
