| 摘要 |
本发明系关于一种用于制备诸如半导体装置之多层复合装置的方法及组合物。该方法包含：(A)在复合材料表面上藉由使该表面与以下物质接触而形成介电层：a)溶液，其包含苯胺之重氮盐，具有至少一个官能基之重氮盐或如申请专利范围第1项所定义之式H2N-A-X-Z之胺化合物；b)或-含有芳基重氮盐之第一溶液且继而为-含有具有至少一个官能基且具有至少一个因该芳基重氮盐而能够与复合材料表面上接枝之芳基反应的官能基之化合物之第二溶液；(B)在步骤(A)中获得之该复合材料之该表面上形成上覆层，该上覆层系由含Si之介电Cu-蚀刻终止层及/或铜扩散障壁组成。 |
