| 发明名称 | 湿蚀刻后之清洗方法及应用其之薄膜电晶体之形成方法 | ||
| 摘要 | 提供一种清洗方法。首先，提供基板，基板包括一金属层；接着，湿蚀刻金属层使得金属层上具有一氧化物；然后，以一清洗液去除金属层上之氧化物。 | ||
| 申请公布号 | TW200739916 | 申请公布日期 | 2007.10.16 |
| 申请号 | TW095113243 | 申请日期 | 2006.04.13 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 张耿志;叶国光 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/8234(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林素华 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 | ||