具有自我偏压电极的横向功率装置

摘要

一种半导体功率电晶体，包含一第一导电性类型的漂移区，及一第二导电性类型的井区设在该漂移区中，而使该井区和漂移区之间形成一pn接面。一该第一导电性类型的第一高掺杂矽区系在该井区中，且一第二高掺杂矽区设在该漂移区中。该第二高掺杂矽区系与井区横向地间隔，因此当偏压该电晶体呈导通状态时，一电流道会穿过漂移区横向地流通于该第一与第二高掺杂矽区之间。多数的沟槽会伸入漂移区中而垂直于电流流向，并包含一介电层衬垫着沟槽侧壁的至少一部份及至少一传导电极。