| 发明名称 |
对半导体在绝缘体上结构抛光之方法 |
| 摘要 |
本发明说明一种抛光形成于透明基板上半导体层之方法，该方法包含与抛光同时由半导体层基板侧量测半导体之厚度，以及使用厚度量测值以改变抛光。 |
| 申请公布号 |
TW200739706 |
申请公布日期 |
2007.10.16 |
| 申请号 |
TW095147855 |
申请日期 |
2006.12.19 |
| 申请人 |
康宁公司 |
发明人 |
节福利希提;查里大卡盖如;史提芬葛骆斯基;里查欧马梅而;马克史考克;詹汤姆士 |
| 分类号 |
H01L21/304(2006.01);H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
吴洛杰 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
