发明名称 半导体装置、电子装置、燃料电池及其制作方法
摘要 本发明提供一种半导体装置、电子装置、燃料电池及其制作方法,其中上述上半导装置具有一凹洞或封闭空间。包含在基底表面形成一凹槽区域,且提供一第一层邻接于凹槽区域的方式制作上述半导体装置。一液体混合物,包括一第一、第二成份供应于凹槽区域内。第一成份对于第一层具有一较大于第二成份的化学亲和性,使得第一成份可从第二成份分离,且第一成份黏附于第一层的边缘部位。接下来,可加热基底以透过蒸发的方式从凹槽区域移除第二成份。由此,保留第一成份作为一第二层,此第二层黏附于第一层的边缘部位,且覆盖凹槽区域。因此,第二层可与凹槽区域定义一凹洞及封闭空间。上述包括此凹洞之独特的半导体装置也可以使用于实现一具有流体的电容,相较于固体的介电材料,以增加电容的电容能力。在另一实施例中,此凹洞可限制气体流于基底的狭窄沟槽内,以实现一具有缩小尺寸的燃料电池。
申请公布号 TW200739979 申请公布日期 2007.10.16
申请号 TW095134230 申请日期 2006.09.15
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 周友华;葛翔翔;张宏睿;陈一铭;林显纬
分类号 H01L49/00(2006.01);H01M8/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L49/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号