| 发明名称 |
改善的SiCOH介电层IMPROVED SiCOH DIELECTRIC |
| 摘要 |
本案提供一种在半导体元件制造中有用的多孔复合材料，其孔洞之直径(或特征尺寸)及孔洞尺寸分布(PSD)控制在奈米等级，且呈现改善的内聚力(或等同于改善的破裂韧性或降低的易碎性)，并提供增加的水衰退性质之阻抗，如应力腐蚀破裂、铜切入及其他关键性质。多孔复合材料之制造系使用至少一双官能基有机成孔剂作为前驱化合物。 |
| 申请公布号 |
TW200739870 |
申请公布日期 |
2007.10.16 |
| 申请号 |
TW096101705 |
申请日期 |
2007.01.17 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
阿里 阿萨立阿达卡尼;斯蒂芬M. 盖兹;阿尔弗雷德 吉尔;戴柏拉A. 钮麦尔;颂 恩古言;威许那伯海V. 佩戴尔 |
| 分类号 |
H01L23/532(2006.01);H01L21/312(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01B3/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
