半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，包含一矽基板、一应变引发层、一矽层、一场效电晶体(FET)、及一隔离区。在该矽基板上设置该应变引发层。在该应变引发层上设置该矽层。该应变引发层引发该矽层中的FET的通道部分晶格应变。该矽层包括FET。该FET包括一源极/汲极区、一SD扩张区(轻度掺杂汲极(LDD)区)、一闸电极以及一侧壁。源极/汲极区和应变引发层是分开的。在该FET周围，设置有隔离区。该隔离区穿透该矽层以达于该应变引发层。