光开关结构改良

摘要

一种光开关结构改良，系于一基板之一面上层叠一质子布植区，该质子布植区之能量系介于1KeV~1MeV之间，布植剂量系介于1ｘ1012~1ｘ1016(1/cm2)之间，而回火环境系在具有氧分子之钝气环境下氧分子至少1ppm以上，回火温度介于350℃~600℃之间，并于质子布植区之一面上，或于基板底面及质子布植区之一面上分别设置所需之接触电极，且质子布植区一面上之各接触电极之间系形成有缺口。藉此，可使该光开关具有宽频接收之功能，并可同时达到简化制程之功效。