发明名称 |
用于增进元件效能与可靠度及高-K氮化制程中的氮气分布工程 |
摘要 |
本发明系为形成一氮化闸极介电层之方法及装置。该方法包括利用一电浆氮化制程而将氮并入介电薄膜中以形成氮化闸极介电层。第一步骤系提供包括一闸极介电薄膜之基板;第二步骤系诱导一电压至基板上;最后,基板系暴露于一包含氮源之电浆,并维持电压而在基板上形成一氮化闸极介电层。于一实施例中,诱导电压至基板上系藉由将电压施加至用于支撑基板的静电吸座上。于另一实施例中,诱导电压至基板上系藉由将DC偏压电压施加至邻近基板的电极上。 |
申请公布号 |
TW200739726 |
申请公布日期 |
2007.10.16 |
申请号 |
TW095130282 |
申请日期 |
2006.08.17 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
缪修克里斯南山卡尔;雪伦潘尼罗夫;歌加尼坦雅;那瓦卡普莱文K NARWANKAR, PRAVIN K.;柯尔须瑞亚斯S KHER, SHREYAS S.;马谊;康堤吉赛宾娜R CONTI, GIUSEPPINA R. |
分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
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地址 |
美国 |