| 发明名称 | 电浆氧化处理方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 对于具有矽层与高融点金属含有层的构造体，以进行包括：使用至少含有氢气与氧气的处理气体，以处理压力1.33~66.67Pa进行第1电浆氧化处理；以及在第1电浆氧化处理进行后，使用至少含有氢气与氧气的处理气体，以处理压力133.3~1333Pa进行第2电浆氧化处理之电浆氧化处理方法的方式，形成氧化矽膜。 | ||
| 申请公布号 | TW200739730 | 申请公布日期 | 2007.10.16 |
| 申请号 | TW096106851 | 申请日期 | 2007.02.27 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 佐佐木胜 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||