| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置制造方法。在半导体基板(60)上，利用CVD法等形成氧化矽膜(86)之后，形成包括布线结构层的层叠结构(88)。在层叠结构(88)上形成在受光部上具有开口的光阻膜(122)，以其为蚀刻遮罩而进行对层叠结构(88)的蚀刻处理。对该蚀刻而言，作为确保层间绝缘膜相对于氮化矽膜的蚀刻选择比的种类/条件，而在该蚀刻处理中使氮化矽膜(86)作为蚀刻停止膜而作用。在开口部分(116)的底部露出的氮化矽膜(86)构成反射防止膜。藉此，可简化对光检测器的受光部上的布线结构层等进行蚀刻来形成开口部分时的步骤。 |
