| 主权项 |
1.一种可变电容器,其位于一基底上,其包括: 一下电极,具有位于该基底中排列成一阵列的复数 个掺杂区,其中该阵列具有复数行与复数列,且相 邻两行之该些掺杂区交替排列; 一上电极位于该基底上方,且该上电极由复数个电 极位置所构成,而该上电极具有复数个开口,每一 该些开口裸露相对应的该掺杂区,其中每一该些电 极位置直接被三个掺杂区包围; 一第一介电层位于该基底与该上电极之间;以及 一导体层位于该上电极上方,其中该导体层与该上 电极电性隔离且该导体层与该些掺杂区经由该些 开口与该些掺杂区电性连结。 2.如申请专利范围第1项所述之可变电容器,其中每 一该些电极位置是一多边形体,而包围该电极位置 之三个掺杂区则位于该多边形体之顶角位置。 3.如申请专利范围第2项所述之可变电容器,其中该 多边形体为一正多边形体。 4.如申请专利范围第1项所述之可变电容器,其中每 一该些开口之形状为一四边形。 5.如申请专利范围第1项所述之可变电容器,其中每 一该些开口之形状为一圆形。 6.如申请专利范围第1项所述之可变电容器,其中该 上电极之材质包括掺杂多晶矽。 7.如申请专利范围第1项所述之可变电容器,其中该 上电极与该导体层之间有一第二介电层,该第二介 电层填入该些开口中,且该第二介电层于每一该些 开口中具有一接触窗开口裸露该些掺杂区之一。 8.如申请专利范围第1项所述之可变电容器,其中每 一该些电极位置之面积比上包围该电极位置之该 些掺杂区之总面积之比率大于等于1/3。 9.一种可变电容器,其位于一基底上,其包括: 一下电极,具有位于该基底中的复数个掺杂区; 一上电极位于该基底上方,且该上电极由复数个电 极位置所构成,其中每一电极位置之形状由至少五 个开口所定义,且每一该些开口裸露相对应的该掺 杂区; 一第一介电层位于该基底与该上电极之间;以及 一导体层位于该上电极上方,其中该导体层与该上 电极电性隔离且该导体层与该些掺杂区经由该些 开口与该些掺杂区电性连结。 10.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 每一该些电极位置是一多边形体,而包围该电极位 置之该些掺杂区则位于该多边形体之顶角位置。 11.如申请专利范围第10项所述之可变电容器,其中 该多边形体为一正多边形体。 12.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 每一该些开口之形状为一四边形。 13.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 每一该些开口之形状为一圆形。 14.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 每一该些开口之形状为一六角形。 15.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 该上电极之材质包括掺杂多晶矽。 16.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 该上电极与该导体层之间有一第二介电层,该第二 介电层填入该些开口中,且该第二介电层于每一该 些开口中具有一接触窗开口裸露该些掺杂区之一 。 17.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 每一该些电极位置之面积比上包围该电极位置之 该些掺杂区之总面积之比率大于等于1/3。 18.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 每一该些电极位置被六个掺杂区所包围。 19.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 该些掺杂区于该基底中排列成具有复数行与复数 列之一阵列,且相邻两行之该些掺杂区交替排列。 20.如申请专利范围第9项所述之可变电容器,其中 该些电极位置以一紧密互补方式排列。 图式简单说明: 图1A绘示为根据本发明一较佳实施例之一种可变 电容器之上视简图。 图1B绘示为图1A中之可变电容器沿I-I之剖面简图。 图2绘示为根据本发明另一较佳实施例之一种可变 电容器之上视简图。 图3绘示为根据本发明又一较佳实施例之一种可变 电容器之上视简图。 图4绘示为根据本发明再一较佳实施例之一种可变 电容器之上视简图。 |
