| 主权项 |
1.一种光电半导体晶片,包括:多个半导体功能区(10 ),其配置在共同的载体层(1,7)上;以及一作为光电 半导体晶片之电性接触用之接触结构(18),其特征 为;至少一个半导体功能区是缺陷区(12),该接触结 构导电性地与至少一个半导体功能区相连接且该 接触结构在电性上可与缺陷区相隔开地形成或在 电性上已与缺陷区相隔开而形成。 2.如申请专利范围第1项之光电半导体晶片,其中载 体层(1)包含半导体层序列(2)之生长基板且半导体 层序列是用来形成半导体功能区(10)。 3.如申请专利范围第1项之光电半导体晶片,其中载 体层(7)是与半导体层序列(2)之生长基板不同,半导 体层序列是用来形成半导体功能区(10)。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电半导体 晶片,其中至少在半导体功能区(10)之一部份和载 体层(1,7)之间配置一镜面层(5)。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电半导体 晶片,其中半导体功能区(10)包含一种活性区(3),其 用来产生辐射或接收辐射。 6.如申请专利范围第4项之光电半导体晶片,其中半 导体功能区(10)包含一种活性区(3),其用来产生辐 射或接收辐射。 7.如申请专利范围第1项之光电半导体晶片,其中半 导体晶片之活性面之大小是1平方毫米,10平方毫米 ,1平方厘米或更大。 8.如申请专利范围第1项之光电半导体晶片,其中在 载体层(1,7)和接触结构(18)之间配置一种隔离结构( 15,16),其使接触结构在电性上与一配置在载体层(1, 7)之与半导体功能区(10)相面对的此侧上之对立接 触结构(13)相隔离。 9.如申请专利范围第8项之光电半导体晶片,其中各 个半导体功能区(10)在光电半导体晶片操作时至少 一部份经由接触结构(18)和该对立接触结构(13)而 并联。 10.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电半导 体晶片,其中半导体晶片,特别是半导体功能区(10) 或活性区(3)包含III-V-半导体材料,例如,InxGayAl1-x-yP , InxGayAl1-x-yN或InxGayAl1-x-yAs,其中0≦x≦1, 0≦y≦1且 x+y≦1。 11.如申请专利范围第4项之光电半导体晶片,其中 半导体晶片,特别是半导体功能区(10)或活性区(3), 包含III-V-半导体材料,例如,InxGayAl1-x-y P, InxGayAl1-x- yN或InxGayAl1-x-yAs,其中0≦x≦1, 0≦y≦1且x+y≦1。 12.如申请专利范围第5项之光电半导体晶片,其中 半导体晶片,特别是半导体功能区(10)或活性区(3), 包含III-V-半导体材料,例如,InxGayAl1-x-y P, InxGayAl1-x- yN或InxGayAl1-x-yAs,其中0≦x≦1, 0≦y≦1且x+y≦1。 13.如申请专利范围第6项之光电半导体晶片,其中 半导体晶片,特别是半导体功能区(10)或活性区(3), 包含III-V-半导体材料,例如,InxGayAl1-x-y P, InxGayAl1-x- yN或InxGayAl1-x-yAs,其中0≦x≦1, 0≦y≦1且x+y≦1。 14.如申请专利范围第7至9项中任一项之光电半导 体晶片,其中半导体晶片,特别是半导体功能区(10) 或活性区(3)包含III-V-半导体材料,例如,InxGayAl1-x-yP , InxGayAl1-x-yN或InxGayAl1-x-yAs,其中0≦x≦1, 0≦y≦1且 x+y≦1。 15.如申请专利范围第1至3项中任一项之光电半导 体晶片,其中半导体晶片制作在晶圆复合物中。 16.一种光电半导体晶片之电性接触用之接触结构 之形成方法,半导体晶片具有多个配置在共同载体 层(1,7)上之半导体功能区(10),其特征为: a)制备一种配置在载体层(1,7)上的半导体层序列(2) , b)对该半导体层序列进行结构化,以形成多个半导 体功能区(10), c)对各半导体功能区之至少一部份测试其功能或 测试一预设之功能参数且确定半导体功能区之缺 陷区(12),以及 d)形成一种配置在半导体功能区之与载体层(1,7)相 面对之此侧上的接触结构(18),其用来对各个半导 体功能区(10)作电性接触,使该接触结构在电性上 与缺陷区相隔开。 17.如申请专利范围第16项之形成方法,其中一种接 触材料依据接触结构(18)而被结构化地配置在半导 体功能区之面对载体层(1,7)之此侧上。 18.如申请专利范围第16项之形成方法,其中一种接 触材料在配置在半导体功能区之面对载体层(1,7) 之此侧上之后依据接触结构(18)而被结构化。 19.如申请专利范围第16至18项中任一项之形成方法 ,其中载体层(1)包含半导体层序列(2)之生长基板。 20.如申请专利范围第16至18项中任一项之形成方法 ,其中载体层(7)是与半导体层序列之生长基板不同 。 21.如申请专利范围第16至18项中任一项之形成方法 ,其中半导体功能区(10)包含一活性区(3),其用来产 生辐射或接收辐射。 22.如申请专利范围第16至18项中任一项之形成方法 ,其中在载体层(1,7)和接触结构(18)之间配置一种隔 离结构(15,16),其使接触结构(18)在电性上与一配置 在载体层(1,7)之与半导体功能区(10)相面对的此侧 上之对立接触结构(13)相隔离。 23.如申请专利范围第16至18项中任一项之形成方法 ,其中半导体晶片,特别是半导体功能区(10)或活性 区(3),包含III-V-半导体材料,例如,InxGayAl1-x-yP, InxGayAl1-x-yN或InxGayAl1-x-yAs,其中0≦x≦1, 0≦y≦1且x+ y≦1。 24.如申请专利范围第21项之形成方法,其中半导体 晶片,特别是半导体功能区(10)或活性区(3),包含III- V-半导体材料,例如,InxGayAl1-x-y P, InxGayAl1-x-yN或 InxGayAl1-x-yAs,其中0≦x≦1, 0≦y≦1且x+y≦1。 25.如申请专利范围第22项之形成方法,其中半导体 晶片,特别是半导体功能区(10)或活性区(3),包含III- V-半导体材料,例如,InxGayAl1-x-y P, InxGayAl1-x-yN或 InxGayAl1-x-yAs,其中0≦x≦1, 0≦y≦1且x+y≦1。 26.如申请专利范围第16至18项中任一项之形成方法 ,其中本方法在晶圆复合物中进行。 图式简单说明: 第1A图 系显示本发明之光电半导体晶片之接触用 之接触结构之切面图,其中包含第一载体层、半导 体层序列以及活性区; 第1B图 系显示本发明藉由溅镀或蒸镀而施加在半 导体层序列上之接触结构切面图; 第1C图 系显示本发明包含半导体序列、活性区、 连接层以及第二载体层之接触结构切面图; 第1D图 系显示本发明藉由连接层而于第二载体层 上具有多个半导体功能区之接触结构切面图; 第1E图 系显示本发明藉由填料填入中间区中而形 成一平坦表面之接触结构切面图; 第1F图 系显示本发明将接触材料施加在表面上并 将其结构化之接触结构切面图; 第1G图 系显示本发明藉由缺陷区或隔离结构而将 结触结构隔开之接触结构切面图。 第2图 本发明的光电半导体晶片之一种实施例之 第2A图中由上方所看到的俯视图和第2B图之切面图 。 |
