| 主权项 |
1.一种互补型金氧半导体电晶体输出级结构,其包 含: 一第一p型金氧半导体电晶体,该第一p型金氧半导 体电晶体具有一第一源极、一第一闸极、一第一 汲极以及一第一基体端点,该第一源极耦接于一电 压源,该第一闸极耦接于一第一参考电压; 一第二p型金氧半导体电晶体,该第二p型金氧半导 体电晶体具有一第二源极、一第二闸极、一第二 汲极以及一第二基体端点,该第二源极耦接于该第 一汲极,该第二闸极耦接于一第二参考电压,该第 二汲极耦接于一输出垫; 一第一n型金氧半导体电晶体,该第一n型金氧半导 体电晶体具有一第三汲极、一第三闸极、一第三 源极以及一第三基体端点,该第三汲极耦接于该输 出垫,该第三闸极耦接于一第三参考电压;以及 一第二n型金氧半导体电晶体,该第二n型金氧半导 体电晶体具有一第四汲极、一第四闸极、一第四 源极以及一第四基体端点,该第四汲极耦接于第三 源极,该第四闸极耦接于一第四参考电压,该第四 源极耦接于一接地点; 其中,该些p型金氧半导体电晶体以及该些n型金氧 半导体电晶体系构成一双井结构。 2.如申请专利范围第1项所述之互补型金氧半导体 电晶体输出级结构,其中该第一汲极与该第二源极 之间,可另包含至少一p型金氧半导体电晶体。 3.如申请专利范围第1项所述之互补型金氧半导体 电晶体输出级结构,其中该第三源极与该第四汲极 之间,可另包含至少一n型金氧半导体电晶体。 4.如申请专利范围第1项所述之互补型金氧半导体 电晶体输出级结构,其中该双井结构系在一p型基 底上具有一深n型井区域以及复数个独立之n型井 区域,该深n型井区域上具有复数个独立之p型井区 域。 5.如申请专利范围第1项所述之互补型金氧半导体 电晶体输出级结构,其中该第一、第二、第三、及 第四参考电压可由一偏压电路所提供。 6.如申请专利范围第1项所述之互补型金氧半导体 电晶体输出级结构,其中该第一基体端点耦接于一 第五参考电压,该第二基体端点耦接于一第六参考 电压,该第五参考电压及该第六参考电压系不相同 。 7.如申请专利范围第1项所述之互补型金氧半导体 电晶体输出级结构,其中该第一基体端点耦接于该 第一源极,该第二基体端点耦接于该第二源极。 8.如申请专利范围第1项所述之互补型金氧半导体 电晶体输出级结构,其中该第三基体端点耦接于一 第七参考电压,该第四基体端点耦接于一第八参考 电压,该第七参考电压及该第八参考电压系不相同 。 9.如申请专利范围第1项所述之互补型金氧半导体 电晶体输出级结构,其中该第三基体端点耦接于该 第三源极,该第四基体端点耦接于该第四源极。 10.一种互补型金氧半导体电晶体输出级结构,其包 含: 至少一p型金氧半导体电晶体,该p型金氧半导体电 晶体耦接于一电压源以及一输出垫; 一第一n型金氧半导体电晶体,该第一n型金氧半导 体电晶体具有一第一汲极、一第一闸极、一第一 源极以及一第一基体端点,该第一汲极耦接于该输 出垫,该第一闸极电连接一第一参考电压;以及 一第二n型金氧半导体电晶体,该第二n型金氧半导 体电晶体具有一第二汲极、一第二闸极、一第二 源极以及一第二基体端点,该第二汲极耦接于该第 一源极,该第二闸极耦接于一第二参考电压,该第 二源极耦接于一接地点; 其中,该些p型金氧半导体电晶体以及该些n型金氧 半导体电晶体系构成一双井结构。 11.如申请专利范围第10项所述之互补型金氧半导 体电晶体输出级结构,其中该第一源极与该第二汲 极之间,可另包含至少一n型金氧半导体电晶体。 12.如申请专利范围第10项所述之互补型金氧半导 体电晶体输出级结构,其中该双井结构系在一p型 基底上具有一深n型井区域以及复数个独立之n型 井区域,该深n型井区域上具有复数个独立之p型井 区域。 13.如申请专利范围第10项所述之互补型金氧半导 体电晶体输出级结构,其中该第一基体端点耦接于 一第三参考电压,该第二基体端点耦接于一第四参 考电压,该第三参考电压及该第四参考电压系不相 同。 14.如申请专利范围第10项所述之互补型金氧半导 体电晶体输出级结构,其中该第一基体端点耦接于 该第一源极,该第二基体端点耦接于该第二源极。 15.一种互补型金氧半导体电晶体输出级结构,其包 含: 至少一p型金氧半导体电晶体,该p型金氧半导体电 晶体耦接于一电压源以及一输出垫; 一第一n型金氧半导体电晶体,该第一n型金氧半导 体电晶体具有一第一汲极、一第一闸极、一第一 源极以及一第一基体端点,该第一汲极耦接于该输 出垫,该第一闸极电连接一第一参考电压;以及 一第二n型金氧半导体电晶体,该第二n型金氧半导 体电晶体具有一第二汲极、一第二闸极、一第二 源极以及一第二基体端点,该第二汲极耦接于该第 一源极,该第二闸极耦接于一第二参考电压,该第 二源极耦接于一接地点; 其中,该第一n型金氧半导体电晶体系位于一第一p 型井中,该第二n型金氧半导体电晶体系位于一第 二p型井中,该第一p型井及该第二p型井系位于一深 n型井中且相互隔离。 16.如申请专利范围第15项所述之互补型金氧半导 体电晶体输出级结构,其中该第一源极与该第二汲 极之间,可另包含至少一n型金氧半导体电晶体。 17.如申请专利范围第15项所述之互补型金氧半导 体电晶体输出级结构,其中该第一基体端点耦接于 一第三参考电压,该第二基体端点耦接于一第四参 考电压,该第三参考电压及该第四参考电压系不相 如。 18.如申请专利范围第15项所述之互补型金氧半导 体电晶体输出级结构,其中该第一基体端点耦接于 该第一源极,该第二基体端点耦接于该第二源极。 图式简单说明: 第1图为一典型高耐压输出级之示意图。 第2图为一典型高耐压输出级结构之剖面示意图。 第3图为本发明一实施例之高耐压输出级结构之剖 面示意图。 第4图为第3图之高耐压输出级结构之应用示意图 。 第5图为第3图之高耐压输出级结构之另一应用示 意图。 |
