| 主权项 |
1.一种高分子发光二极体制程,包括以下步骤: 提供一基底; 于该基底上形成一阳极层; 于该阳极层上形成一高分子发光层;及 使用超音波处理该高分子发光层。 2.如申请专利范围第1项所述之高分子发光二极体 制程,其中该超音波之频率为1106Hz至1107Hz。 3.如申请专利范围第1项所述之高分子发光二极体 制程,其中该超音波处理系震荡伸展该高分子发光 层之高分子链。 4.如申请专利范围第1项所述之高分子发光二极体 制程,其中该基底之材质为玻璃、有机薄膜或塑胶 。 5.如申请专利范围第1项所述之高分子发光二极体 制程,其中该阳极层之材质为氧化铟锡或氧化铟锌 。 6.如申请专利范围第1项所述之高分子发光二极体 制程,其中该阳极层为较薄之金属导电膜。 7.如申请专利范围第1项所述之高分子发光二极体 制程,其中该高分子发光层系藉由喷墨列印法所形 成。 8.如申请专利范围第1项所述之高分子发光二极体 制程,其中该高分子发光层之高分子材质之分子量 为10000至100000。 9.如申请专利范围第8项所述之高分子发光二极体 制程,其中该高分子发光层之材质为导电共轭聚合 物或半导体共轭聚合物。 10.如申请专利范围第9项所述之高分子发光二极体 制程,其中该高分子发光层之材质为聚苯基乙烯。 11.如申请专利范围第1项所述之高分子发光二极体 制程,其进一步包括于超音波处理该高分子发光层 后烘烤该高分子发光层。 12.如申请专利范围第11项所述之高分子发光二极 体制程,其进一步包括于烘烤该高分子发光层后封 合该高分子发光层。 图式简单说明: 第一图系一种先前技术高分子发光二极体制程之 流程图。 第二图系本发明高分子发光二极体制程一较佳实 施方式之流程图。 |
