发明名称 具有检测反应室状态功能之化学气相沉积机台及其检测方法
摘要 一种化学气相沉积机台,其包含有一加热支撑座(heating holder)设置于一反应室内,一淋气头(shower head)平行设置于该加热支撑座之上方,且该加热支撑座与该淋气头构成一电容,以及一反应室状态检测装置(chamber condition detector),分别与该加热支撑座与该淋气头电连接,该反应室状态检测装置包含有一电阻,且该电阻与该电容串联构成一RC电路。
申请公布号 TWI288182 申请公布日期 2007.10.11
申请号 TW093137256 申请日期 2004.12.02
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 赖建兴
分类号 C23C16/00(2006.01) 主分类号 C23C16/00(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种具有检测反应室状态功能之化学气相沉积 机台,其包含有: 一加热支撑座(heating holder),设置于一反应室内; 一淋气头(shower head),平行设置于该加热支撑座之 上方,且该加热支撑座与该淋气头构成一电容;以 及 一反应室状态检测装置(reaction chamber condition detector),分别与该加热支撑座与该淋气头电连接, 该反应室状态检测装置包含有一电阻,且该电阻与 该电容串联构成一RC电路。 2.如申请专利范围第1项所述之具有检测反应室状 态功能之化学气相沉积机台,其中于进行检测时该 反应室系处于一真空状态下。 3.如申请专利范围第1项所述之具有检测反应室状 态功能之化学气相沉积机台,其中该反应室状态检 测装置系利用对该RC电路充电进行检测,以判断该 反应室之状态。 4.如申请专利范围第3项所述之具有检测反应室状 态功能之化学气相沉积机台,其中于对该电容进行 充电之过程中可计算出一检测电容値,并利用比较 该检测电容値与一理想电容値判断该反应室之状 态。 5.如申请专利范围第3项所述之具有检测反应室状 态功能之化学气相沉积机台,其中于对该电容进行 充电之 过程中可计算出一以t与 为 变数之线性关系式 ,并利用比较该线性关系式之斜率与一理想斜率以 判断该反应室之状态,其中t为充电时间、R为该电 阻之电阻値、C为该电容之电容値、Vc为该电容之 电压値、为电容率(permittivity)。 6.如申请专利范围第1项所述之具有检测反应室状 态功能之化学气相沉积机台,其中该反应室状态检 测装置系利用对该RC电路放电进行检测,以判断该 反应室之状态。 7.如申请专利范围第6项所述之具有检测反应室状 态功能之化学气相沉积机台,其中于对该电容进行 放电之过程中可计算出一检测电容値,并利用比较 该检测电容値与一理想电容値判断该反应室之状 态。 8.如申请专利范围第6项所述之具有检测反应室状 态功能之化学气相沉积机台,其中于对该电容进行 放电之过程中可计算出一以t与 为变 数之线性关系式 ,并 利用比较该线性关系式之斜率与一理想斜率以判 断该反应室之状态,其中t为放电时间、R为该电阻 之电阻値、C为该电容之电容値、Vc为该电容之电 压値、为电容率。 9.一种检测化学气相沉积机台之反应室状态的方 法,该化学气相沉积机台至少包含有一加热支撑座 (heating holder)设于一反应室内、一淋气头(shower head )平行设置于该加热支撑座上方,且该加热支撑座 与该淋气头构成一电容(capacitor),以及一反应室状 态检测装置分别与该加热支撑座与该淋气头电连 接,该反应室状态检测装置另包含有一电阻,该电 阻与该电容串联形成一RC电路,该方法包含有: (a)将该加热支撑座与该淋气头调整至一检测位置; (b)利用该反应室状态检测装置对该电容进行充电 与放电,并计算出一检测値;以及 (c)进行一检测程序以比较该检测値与一理想値,若 该检测値与该理想値相同表示该反应室之状态正 常,若该检测値与该理想値不同表示该反应室之状 态偏移。 10.如申请专利范围第9项所述之检测化学气相沉积 机台之反应室状态之方法,其中步骤(b)系于一真空 状态下进行。 11.如申请专利范围第9项所述之检测化学气相沉积 机台之反应室状态之方法,其中该检测値系于进行 充电过程中获得。 12.如申请专利范围第11项所述之检测化学气相沉 积机台之反应室状态之方法,其中该检测値系为一 电容检测値。 13.如申请专利范围第11项所述之检测化学气相沉 积机台之反应室状态之方法,其中对该电容进行充 电之过程中可计算出一以t与 为变 数之线性关系式 , 且该检测値系为该线性关式之一斜率,该检测程序 系利用比较该斜率与一理想斜率以判断该反应室 之状态,其中t为充电时间、R为该电阻之电阻値、C 为该电容之电容値、Vc为该电容之电压値、为 电容率(permittivity)。 14.如申请专利范围第9项所述之检测化学气相沉积 机台之反应室状态之方法,其中该检测値系于进行 放电过程中获得。 15.如申请专利范围第14项所述之检测化学气相沉 积机台之反应室状态之方法,其中该检测値系为一 电容检测値。 16.如申请专利范围第14项所述之检测化学气相沉 积机台之反应室状态之方法,其中对该电容进行放 电之过程中可计算出一以t与 为变数 之线性关系式 ,且该 检测値系为该线性关式之一斜率,该检测程序系利 用比较该斜率与一理想斜率以判断该反应室之状 态,其中t为放电时间、R为该电阻之电阻値、C为该 电容之电容値、Vc为该电容之电压値、为电容 率。 图式简单说明: 第1图系为一习知化学气相沉积机台之示意图。 第2图为本发明一较实施例之化学气相沉积机台之 示意图。 第3图为本发明化学气相沉积机台之等效电路图。 第4图为本发明检测化学气相沉积机台之反应室状 态的方法之流程图。 第5图为一t与 之关系图。 第6图为一t与 之关系图。
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