含有介层窗与浅沟渠之结构以及其制造方法

摘要

揭露一种含有介层窗与浅沟渠的结构，以及其制造方法。此一结构至少包括第一导电层、介电层、介层窗、导电衬垫以及沟渠。其中，第一导电层位于介电层之中。介层窗位于介电层之中，用来将第一导电层之一部份表面暴露出来。导电衬垫覆盖于第一导电层所暴露出来的表面上。沟渠位于介层窗上方之介电层内部没有导电衬垫层的部分。同时揭露一种双层镶嵌结构以及其制造方法，在形成介层窗与沟渠结构之后，在介层窗与沟渠结构之中形成第二导电层。

主权项

1.一种制造含有介层窗与浅沟渠之结构的方法,至 少包括: 提供一基材,该基材至少包括一第一导电层以及一 介电层,其中该第一导电层位于该介电层之内,该 介电层之内具有一介层窗,用来将该第一导电层之 一部份表面暴露出来; 形成一导电衬垫用来覆盖在该第一导电层暴露出 来的表面;以及 形成一沟渠,该沟渠位于该介层窗上方,而且该沟 渠之中并未含有该导电衬垫。 2.如申请专利范围第1项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,其中形成该导电衬垫的步骤 至少包括,在该介电层、该介层窗以及该第一导电 层暴露出来的表面上形成一导电衬垫层。 3.如申请专利范围第2项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,其中形成该沟渠的步骤至少 包括: 填充一平坦化材质于该介层窗之中以及该导电衬 垫层之上; 形成一图案化罩幕层于该介电层之上; 移除一部分之该介电层、该平坦化材质以及该导 电衬垫层,藉以形成该沟渠;以及 移除剩余的该平坦化材质。 4.如申请专利范围第2项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,其中该导电衬垫层系实质共 形于该介电层、该介层窗、该第一导电层暴露于 外的表面上。 5.如申请专利范围第2项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,更至少包括对该导电衬垫层 进行一电浆处理,藉以移除位于该导电衬垫层上的 一氧化层。 6.如申请专利范围第5项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,该电浆处理移除该导电衬垫 层的至少一原子层。 7.如申请专利范围第4项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,其中形成该导电衬垫层的厚 度范围系实质在于在10到500之间。 8.如申请专利范围第1项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,其中该导电衬垫层对于氧的 活性较该第一导电层低。 9.如申请专利范围第1项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,更至少包括形成一蚀刻终止 层位于该介电层之中,该第一导电层之上,其中该 蚀刻终止层具有一开口,该开口系相对应于该第一 导电层暴露于外的表面。 10.如申请专利范围第1项或第9项所述之制造含有 介层窗与浅沟渠之结构的方法,其中该导电衬垫形 成于该蚀刻终止层之该开口的侧壁上。 11.如申请专利范围第1项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,更至少包括形成一第二导电 层于该沟渠与该介层窗之内,藉以形成一双层镶嵌 结构。 12.如申请专利范围第11项所述之制造含有介层窗 与浅沟渠之结构的方法,更至少包括在未形成该第 二导电层之前,先于该沟渠与该介层窗之内形成一 阻障层。 13.如申请专利范围第11项所述之制造含有介层窗 与浅沟渠之结构的方法,更至少包括形成一蚀刻终 止层位于该介电层之中,该第一导电层之上,其中 该蚀刻终止层具有一开口,该开口系相对应于该第 一导电层暴露于外的表面。 14.如申请专利范围第1项所述之制造含有介层窗与 浅沟渠之结构的方法,其中: 该结构更至少包括一第二介电层以及一蚀刻终止 层,该第二介电层位于该第一导电层之上,该蚀刻 终止层位于该第一导电层与该第二导电层之间,其 中该介层窗系形成于该第二介电层以及该蚀刻终 止层之内,用来将该第一导电层之一部份表面暴露 出来; 一导电衬垫层系覆盖于该第二介电层与该介层窗 之上;以及 该制造方法更至少包括: 形成一图案化罩幕层于该第二介电层之上; 移除一部分之该第二介电层、该平坦化材质以及 该导电衬垫层,藉以形成该沟渠; 移除剩余的该平坦化材质;以及 填充一第二导电层于该沟渠与该介层窗之内。 15.一种含有介层窗与浅沟渠的结构,至少包括: 一第一导电层,位于一介电层之中; 一介层窗,位于该介电层之中,用来将该第一导电 层之一部份表面暴露出来; 一导电衬垫,系覆盖于该该第一导电层暴露出来的 表面上;以及 一沟渠,位于该介层窗上方,且该沟渠之内未含有 该导电衬垫。 16.如申请专利范围第15项所述之含有介层窗与浅 沟渠的结构,其中该导电衬垫系实质共形于该介层 窗之内,以及该介层窗之侧壁。 17.如申请专利范围第16项所述之含有介层窗与浅 沟渠的结构,其中该导电衬垫至少包括氮化钛或氮 化钽。 18.如申请专利范围第15项所述之含有介层窗与浅 沟渠的结构,更至少包括一蚀刻终止层位于该介电 层之中,以及位于该第一导电层之上,其中该蚀刻 终止层具有一开口,该开口系相对应于该第一导电 层暴露于外的表面。 19.如申请专利范围第15项所述之含有介层窗与浅 沟渠的结构,更至少包括一第二导电层位于该沟渠 与该介层窗之内,其中该含有介层窗与浅沟渠之结 构系一双层镶嵌结构。 20.一种积体电路,至少包括: 一基材,具有至少一元件以及至少一双层镶嵌结构 形成于该基材之上,其中该双层镶嵌结构至少包括 : 一第一导电层,位于一介电层之中; 一介层窗,位于该介电层之中,用来将该第一导电 层之一部份表面暴露出来; 一导电衬垫,系覆盖于该该第一导电层暴露出来的 表面上; 一沟渠,位于该介层窗上方之介电层内部,而且该 沟渠内部未含有该导电衬垫;以及 一第二导电层位于该沟渠与该介层窗之内。 图式简单说明: 第1A图以及第1B图系根据习知技术所绘示之移除一 部份蚀刻终止层之后的结构剖面示意图。 第2A图至2F图系根据本发明一个典型实施例所绘示 之一系列用来形成介层窗与沟渠结构之制程结构 剖面图。 第2G图系绘示一个双层镶嵌结构之较佳实施例的 结构剖面图。 第3A图至3F图系根据本发明另一个典型实施例所绘 示之一系列用来形成介层窗与沟渠结构之制程结 构剖面图。 第3G图系绘示另一个双层镶嵌结构之较佳实施例 的结构剖面图。