发明名称 粒子折射率之量测装置
摘要 本创作为一种粒子折射率之量测装置,其包含一基材、一乾燥装置与一光学仪器,当本创作量测粒子之折射率时,先以一基材涂布该溶液,其包含该粒子及与粒子不相溶之溶剂,而基材涂布溶液之后,再由一乾燥装置让该溶剂予以挥发,以让一光学仪器直接地、准确地量测出粒子之折射率。另外,本创作之量测装置由一光学仪器量先测出该溶剂之折射率,再量测该溶液之折射率,然后透过该溶液与该溶剂之折射率亦能准确地量测出粒子之折射率。如此上述两种量测装置,用于提供更精确之光学设计之光学相关产品。
申请公布号 TWM320668 申请公布日期 2007.10.11
申请号 TW096203510 申请日期 2007.03.02
申请人 国立勤益技术学院 发明人 邱维铭;钱玉树;陈盈吟;王志鸿
分类号 G01N21/41(2006.01) 主分类号 G01N21/41(2006.01)
代理机构 代理人 蔡秀玫 台北县土城市金城路2段211号4楼A1室
主权项 1.一种粒子折射率之量测装置,其包含: 一基材; 一乾燥装置,其设置于该基材之一侧;以及 一光学仪器,其设置于该基材上方; 其中,当该基材涂布一受测物时,将由该光学仪器 量测该受测物之折射率,当该受测物为一溶液,而 该溶液包含粒子(particle)时,将先透过该乾燥装置 让该溶液予以挥发,以让该光学仪器量测该粒子之 折射率。 2.如申请专利范围第1项所述之量测装置,其中该乾 燥装置系乾燥该溶液之溶剂。 3.如申请专利范围第1项所述之量测装置,其中该光 学仪器为一椭圆仪。 4.如申请专利范围第3项所述之量测装置,其中该光 学仪器所产生之光线为一偏极光。 5.如申请专利范围第1项所述之量测装置,其中该基 材采用一旋转涂布机或一浸沾式涂布机涂布该受 测物。 6.如申请专利范围第1项所述之量测装置,其中该基 材系选自于有机的透明基材与无机的透明基材的 其中之一者。 7.一种粒子折射率之量测装置,其包含: 一光学仪器;以及 一基材,其设置于该光学仪器一侧; 其中当该基材容置一受测物时,将使该光学仪器量 测该受测物之折射率,当该受测物为一溶剂时,将 使该光学仪器量测出该溶剂之折射率,当该受测物 为一溶液,将使该光学仪器量测出该溶液之折射率 ,当该溶液包含该溶剂与粒子(particle),而该溶剂与 该粒子不相溶时,将使该溶液之折射率包含该溶剂 与该粒子之折射率。 8.如申请专利范围第7项所述之量测装置,其中该光 学仪器为一屈折计等类型之光学仪器。 9.如申请专利范围第8项所述之量测装置,其中该光 学仪器所产生之光线为一偏极光。 图式简单说明: 第一图为习知技术之扩散板之结构示意图; 第二图为习知技术之光行进于扩散粒子之路径示 意图; 第三图为本创作之一较佳实施例之立体图; 第四图为本创作之一较佳实施例之测量粒子之步 骤流程图; 第五图为本创作之另一较佳实施例之立体图;以及 第六图为本创作之另一较佳实施例之测量粒子之 步骤流程图。
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