静电放电装置

摘要

本发明提出一种静电放电(ESD)装置结构，其在IC正常操作期间充当一个二极体且在一静电放电事件期间等效为一个矽控整流器(SCR)。为形成一等效 SCR结构，该ESD装置包括形成于一N型井的内部的多个N+型区域和多个P+型区域。该多个P+型区域和该多个N+型区域在一序列中彼此相邻而形成，且位于该序列的两端区域是该N+型区域。另外，该ESD装置与一焊垫整合且形成于该焊垫下方。此外，由于该焊垫具有一较大表面积且为板状，因此是一优良电导体，使得该ESD装置中的电流能够均匀地分布。

主权项

1.一种静电放电装置,其包含: 一P型基板; 一N型井,其形成于该P型基板中; 一第一N+型区域,其形成于该P型基板中,该第一N+型 区域与该N型井相隔离; 一第一P+型区域,其形成于该P型基板中,该第一P+型 区域与该N型井和该第一N+型区域相隔离; 多个形成于该N型井内部的第二P+型区域; 多个形成于该N型井内部的第二N+型区域,其中该第 二N+型区域中的两个N+型区域位于该N型井的两边 界旁; 一第一电极,其经由一第一电性导体连接到至少一 个该第二N+型区域和至少一个邻接于该第二N+型区 域旁的该第二P+型区域,其中该第一电导体由一金 属制成;和 一第二电极,其经由一第二电性导体连接到至少一 个该第一P+型区域和至少一个该第一N+型区域,其 中该第二电导体由该金属制成。 2.根据申请专利范围第1项所述的静电放电装置,其 中该N型井的宽度可藉由置放于该N型井边界的该 第二N+型区域相对位置而调整,其中缩短该N型井的 宽度减少该静电放电装置的一寄生SCR结构的一崩 溃电压,且延伸该N型井的宽度增加该静电放电装 置的该寄生SCR结构的该崩溃电压。 3.根据申请专利范围第1项所述的静电放电装置,其 中该第二P+型区域和该第二N+型区域彼此相邻形成 且以一交错方式排列。 4.根据申请专利范围第2项所述的静电放电装置,该 静电放电装置形成于一焊垫下方。 5.根据申请专利范围第3项所述的静电放电装置,该 静电放电装置形成于一焊垫下方。 6.根据申请专利范围第4项所述的静电放电装置,其 中该焊垫连接到该第一电极和第二电极中的一个 电极,而不连接到该焊垫的另一个电极经由一电性 导体连接到一电压准位。 7.根据申请专利范围第5项所述的静电放电装置,其 中该焊垫连接到该第一和第二电极中的一个,而不 连接到该焊垫的另一个电极经由一电性导体连接 到一电压准位。 8.一种静电放电装置,其包含: 一P型基板; 一N型嵌入层,其形成于该P型基板中; 一N型井,其形成于该N型嵌入层上; 一P型井,其形成于该N型嵌入层上并与该N型井相邻 ; 一第三N+型区域,其形成于该N型井的内部,该第三N+ 型区域与该P型井相隔离; 一第三P+型区域,其形成于该N型井的内部,该第三P+ 型区域与该P型井和该第三N+型区域相隔离; 多个第四N+型区域,其形成于该P型井的内部; 多个第四P+型区域,其形成于该P型井的内部,该第 四P+型区域中的两个P+型区域位于该P型井的两边 界旁; 一第一电极,其经由一第一电性导体连接到至少一 个的该第四N+型区域和至少一个的该第四P+型区域 ;和 一第二电极,其经由一第二电性导体连接到至少一 个的该第三P+型区域和至少一个的该第三N+型区域 。 9.根据申请专利范围第8项所述的静电放电装置,其 中该第四P+型区域和该第四N+型区域彼此相邻形成 且以一交错方式排列。 10.根据申请专利范围第9项所述的静电放电装置, 该静电放电装置形成于一焊垫下方。 11.根据申请专利范围第10项所述的静电放电装置, 其中该焊垫连接到该第一电极和第二电极中的一 个电极,而不连接到该焊垫的另一个电极经由一电 性导体连接到一电压准位。 12.根据申请专利范围第8项所述的静电放电装置, 其中该P型井几何地由N型嵌入层与该N型井所围起 的该P型基板部分组成。 13.根据申请专利范围第8项所述的静电放电装置, 其中该P型井由P型离子掺杂而形成。 图式简单说明: 第1图绘示根据本发明的一实施例的ESD装置的横截 面图。 第2图绘示根据本发明的另一实施例的ESD装置的横 截面图。