发明名称 液晶显示元件之制造方法及其制造装置
摘要 一液晶格在"放入真空烘箱"制程中被移动置入真空烘箱中。在"开始抽真空"之制程,真空烘箱之加热器电源关闭且真空烘箱之腔室被抽真空达真空度(真空条件)约为100 Pa之程度。然后以该真空度脱气,并使液晶格缓慢冷却至40℃。接着,在"氮气置换"制程中,在缓慢冷却后之真空烘箱内藉导入氮气入腔室中回复至常压,而将氮气置换入液晶格内部。然后,液晶在"注入"制程中被注入液晶格中,接着在"封口"制程中注入口被用封口胶封止后,照射除去330 nm以下波长光线之紫外线以硬化封口材料。依此可得本发明之液晶显示元件。
申请公布号 TWI288286 申请公布日期 2007.10.11
申请号 TW089126475 申请日期 2000.12.12
申请人 夏普股份有限公司 发明人 伊纳 一平
分类号 G02F1/1341(2006.01);G02F1/1333(2006.01) 主分类号 G02F1/1341(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种液晶显示元件之制造方法,其特征为利用对 液晶格内部减压而予以脱气之后,以惰性气体置换 该液晶格内部,之后将液晶充填入该液晶格内部。 2.如申请专利范围第1项之液晶显示元件之制造方 法,其中利用对液晶格内部加热同时减压而予以脱 气。 3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示元件之制 造方法,其中利用对液晶格内部减压而予以脱气并 同时逐渐冷却后,以惰性气体置换入该液晶格内部 。 4.如申请专利范围第1、2或3项所述之液晶显示元 件之制造方法,其中上述液晶格系由一对塑胶基板 所形成。 5.如申请专利范围第1、2或3项所述之液晶显示元 件之制造方法,其中对液晶格内部减压达到100 Pa程 度之真空度。 6.如申请专利范围第1、2或3项所述之液晶显示元 件之制造方法,其中上述惰性气体系氮气、氦气、 氩气、或氖气中之任一种。 7.如申请专利范围第2或3项所述之液晶显示元件之 制造方法,其中液晶格内部在100℃以上、150℃以下 之温度加热。 8.如申请专利范围第4项所述之液晶显示元件之制 造方法,其中上述塑胶基板系由聚碳酸酯、交联性 材热丙烯酸树脂、聚醚、环氧树脂或脂环族聚 烯烃所制得。 9.一种液晶显示元件之制造方法,其特征为以紫外 线硬化型封口材料将充填有液晶之液晶格封口之 后,该封口材料以在液晶之浓度吸收系数接近0时 呈安定之波长范围之紫外线照射而使之硬化。 10.如申请专利范围第9项所述之液晶显示元件之制 造方法,其中上述在液晶之浓度吸收系数接近0时 呈安定之波长范围紫外线系由采用滤波片而获得 。 11.一种液晶显示元件之制造方法,其特征为以紫外 线硬化型封口材料将充填有液晶之液晶格封口之 后,该封口材料以除去330 nm以下波长范围光线之紫 外线照射而使之硬化。 12.如申请专利范围第11项所述之液晶显示元件之 制造方法,其中紫外线中330 nm以下波长范围光线系 采用滤波片而予以除去。 13.如申请专利范围第10或12项所述之液晶显示元件 之制造方法,其中上述滤波片系由聚醚所制得。 14.一种液晶显示元件之制造方法,其特征为具备依 序而连续之使液晶格内部减压之减压装置、及以 惰性气体置换入液晶格内部之惰性气体置换装置 、及将液晶充填入液晶格内部之液晶充填装置。 15.如申请专利范围第14项所述之液晶显示元件之 制造方法,其中上述减压装置具备依序而连续之抽 气装置及真空装置。 16.如申请专利范围第15项所述之液晶显示元件之 制造方法,其中上述真空装置系将液晶格内部减压 至100 Pa程度之真空度。 17.如申请专利范围第14项所述之液晶显示元件之 制造方法,其中上述惰性气体置换具备依序而连续 之压力调整装置及置换装置。 18.如申请专利范围第14项所述之液晶显示元件之 制造方法,其中上述减压装置具备依序而连续之抽 气装置及真空装置,且上述惰性气体置换具备依序 而连续之压力调整装置及置换装置。 19.如申请专利范围第14项所述之液晶显示元件之 制造方法,其中在减压装置之前连续具备加热液晶 格之加热装置。 20.如申请专利范围第19项所述之液晶显示元件之 制造方法,其中上述加热装置使液晶格内部在100℃ 以上、150℃以下之温度被加热。 21.如申请专利范围第14至20项中任一项之液晶显示 元件之制造方法,其特征为具备搬送上述液晶格之 搬送方法。 22.如申请专利范围第21项之液晶显示元件之制造 方法,其特征为上述搬送方法系带状输送带。 图式简单说明: 图1系在本发明之一实例模式中说明液晶显示元件 之制造工程之流程图。 图2系在上述流程图之『开始实施真空』制程及『 氮气置换』制程期间,真空烘箱室之温度变化及压 力变化之一例之示意图示。 图3系上述流程图之『封口』制程中,光源及滤波 片等结构之说明方块图。 图4系比较用之液晶显示元件中液晶之电压保持率 与距该液晶注入口距离之关系图示。 图5系上述比较用之液晶显示元件中所谓产生烧付 状态之示意模型图。 图6系说明一般之液晶显示元件之制程之流程图。 图7系一般液晶之浓度吸光系数k、与紫外线波长 关系之图示。 图8系在本发明之一实例模式中液晶显示元件之制 造装置之概略方块图。 图9系在本发明之另一实例模式中液晶显示元件之 制造装置之概略方块图。 图10系在本发明之其它实例模式中液晶显示元件 之制造装置之概略方块图。 图11系在本发明之其它实例模式中液晶显示元件 之制造装置之概略方块图。 图12系在本发明之其它实例模式中液晶显示元件 之制造装置之概略方块图。
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