半导体装置、全波整流电路,以及半波整流电路

摘要

在流通顺向电流于二极体时，能防止漏失白费的电流于半导体基板。在P型半导体基板(31)的表面形成有N型阱区域(32)，且在N型阱区域(32)之中复形成有P型阱区域(33)。在P型阱区域(33)之外的N型阱区域(32)的表面系形成有 N+型扩散层(34)。在P型阱区域(33)的表面则形成有P+型扩散层(35)、以及N+型扩散层(36)。形成于N型阱区域(32)的表面之N+型扩散层(34)、以及形成于P型阱区域(33)的表面之P+型扩散层(35)系藉由铝等所组成的配线(37)而作电性连接，并连接阳极电极(38)于该配线(37)。N+型扩散层(36)系连接着阴极电极(39)。

主权项

1.一种半导体装置,系具备: 第1导电型之半导体基板; 第2导电型之第1阱区域,系形成于前述半导体基板 的表面; 第1导电型之第2阱区域,系形成于前述第1阱区域之 中; 第2导电型之第1扩散层,系形成于前述第1阱区域的 表面; 第1导电型之第2扩散层,系形成于前述第2阱区域的 表面;以及 第2导电型之第3扩散层,系形成于前述第2阱区域的 表面; 且电性地连接前述第1扩散层和前述第2扩散层。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,具备 第1导电型之第4扩散层于邻接于前述第1阱区域之 前述半导体基板的表面。 3.一种全波整流电路,系于4个整流元件连接成桥接 型之全波整流电路中,至少有1个整流元件系具备: 第1导电型之半导体基板; 第2导电型之第1阱区域,系形成于前述半导体基板 的表面; 第1导电型之第2阱区域,系形成于前述第1阱区域之 中; 第2导电型之第1扩散层,系形成于前述第1阱区域的 表面; 第1导电型之第2扩散层,系形成于前述第2阱区域的 表面;以及 第2导电型之第3扩散层,系形成于前述第2阱区域的 表面; 且电性地连接前述第1扩散层和前述第2扩散层。 4.如申请专利范围第3项之全波整流电路,其中, 和前述整流元件串联之另外的整流元件,系具备第 1导电型之第4扩散层于邻接于前述第1阱区域之前 述半导体基板的表面。 5.一种半波整流电路,系于具备1个整流元件的半波 整流电路中,前述整流元件系具备: 第1导电型之半导体基板; 第2导电型之第1阱区域,系形成于前述半导体基板 的表面; 第1导电型之第2阱区域,系形成于前述第1阱区域之 中; 第2导电型之第1扩散层,系形成于前述第1阱区域的 表面; 第1导电型之第2扩散层,系形成于前述第2阱区域的 表面;以及 第2导电型之第3扩散层,系形成于前述第2阱区域的 表面;且电性地连接前述第1扩散层和前述第2扩散 层。 图式简单说明: 第1图系表示本发明之半导体装置的构造之截面图 。 第2图系表示本发明之半波整流电路之电路图。 第3图系表示本发明之半导体装置的构造之截面图 。 第4图系表示全波整流电路之电路图。 第5图系表示习知之半导体装置之截面图。 第6图系表示习知之半导体装置之截面图。