| 主权项 |
1.一种校正方法,该方法包含: 移动一校正板之一标记物至一对准位置; 使用一高度感应器来量测该校正板之一第一高度 轮廓; 在该移动一标记物及该使用一高度感应器来量测 一第一高度轮廓之后,将该校正板旋转大体上180度 ; 在该旋转之后,再次移动该标记物至该对准位置; 在该旋转之后,使用该高度感应器来量测该校正板 之一第二高度轮廓;及 基于该第一高度轮廓及该第二高度轮廓来确定该 高度感应器之一量测点相对于该对准位置之一位 置。 2.如请求项1之校正方法,其中该第一高度轮廓包括 该校正板之一特征之一第一量测结果,且 其中该第一高度轮廓包括该校正板之该特征之一 第二量测结果,且 其中该确定该高度感应器之一量测点之一位置系 基于该第一量测结果及该第二量测结果。 3.如请求项2之校正方法,其中该确定该高度感应器 之一量测点之一位置系基于该第一量测结果与该 第二量测结果间之差异。 4.如请求项2之校正方法,其中该特征包括两个平面 之一相交,该等平面相对于彼此倾斜。 5.如请求项1之校正方法,其中该第一高度轮廓及该 第二高度轮廓中之至少一者,包括对该校正板之一 第一平面之量测结果及对该校正板之一相对于该 第一平面倾斜之第二平面之量测结果。 6.如请求项1之校正方法,该方法进一步包含: 在该使用该高度感应器来量测一第二高度轮廓之 后,进一步以大体上90度及大体上270度中之一角度 旋转该校正板,及 在该进一步旋转之后,使用该高度感应器来量测该 校正板之一第三高度轮廓。 7.如请求项6之校正方法,其中该确定该高度感应器 之一量测点之一位置系基于该第三高度轮廓。 8.如请求项1之校正方法,其中该第一高度轮廓及该 第二高度轮廓中之至少一者,包括对该校正板之连 续复数个平面之量测结果,该等连续复数个平面中 之每一平面具有一不同于该等连续复数个平面中 之一相邻平面之斜率。 9.如请求项1之校正方法,该方法进一步包含确定该 第一高度轮廓及该第二高度轮廓中之一者,与该第 一高度轮廓及该第二高度轮廓中之另一者之一倒 转版本之一最佳拟合对准, 其中该确定一最佳拟合对准包括确定该一轮廓与 该另一轮廓之该倒转版本之一对应于该对准的相 对位移。 10.如请求项9之校正方法,其中该确定该高度感应 器之一量测点之一位置系基于该相对位移。 11.如请求项9之校正方法,其中该确定一最佳拟合 对准包括:对于该一轮廓与该另一轮廓之该倒转版 本之间的复数个相对位移之每一个,计算该一轮廓 与该另一轮廓之该倒转版本之间之一相应差异。 12.如请求项9之校正方法,其中该确定一最佳拟合 对准包括应用一最小平方拟合。 13.如请求项1之校正方法,该方法进一步包含: 在该旋转之前,使用该高度感应器来量测该校正板 之一参考区域之一第一高度轮廓;及 在该旋转之后,使用该高度感应器来量测该校正板 之一参考区域之一第二高度轮廓, 其中该确定该高度感应器之一量测点之一位置系 基于该参考区域之该第一高度轮廓及该第二高度 轮廓中之至少一者。 14.如请求项13之校正方法,该方法进一步包含:在该 确定该高度感应器之一量测点之一位置之前,根据 该参考区域之该第一高度轮廓及该第二高度轮廓 中之至少一者,修改该第一高度轮廓及该第二高度 轮廓之至少一者。 15.如请求项1之校正方法,该方法进一步包含提供 一含有该校正板之基板。 16.如请求项1之校正方法,该方法进一步包含提供 一含有该校正板之晶圆。 17.如请求项1之校正方法,该方法进一步包含将该 校正板配置于一基板台上。 18.如请求项1之校正方法,该方法进一步包含将一 经图案化之辐射光束投射至一辐射敏感材料之目 标区上,且该辐射材料至少部分地覆盖一基板, 其中该投射系基于该判定该高度感应器之一量测 点之位置。 19.如请求项18之校正方法,其中该投射过程包括量 测该基板之一高度,且 其中该量测该基板之一高度系基于该确定该高度 感应器之一量测点之一位置。 20.如请求项18之校正方法,其中该投射过程包括定 位该基板,且 其中该定位系基于该确定该高度感应器之一量测 点之一位置。 21.如请求项20之校正方法,其中该定位包括绕着一 平行于该基板之一表面的轴线旋转该基板,且 其中该旋转该基板系基于该确定该高度感应器之 一量测点之一位置。 22.一种根据如请求项18之方法而制造的装置。 23.如请求项1之校正方法,其中该移动一标记物包 括移动一微影设备之一基板台。 24.如请求项23之校正方法,其中该旋转该校正板包 括自该基板台移除该校正板。 25.一种装置制造方法,该方法包含: 移动一校正板之一标记物至一对准位置; 使用一高度感应器来量测该校正板之一第一高度 轮廓; 在该移动一标记物及该使用一高度感应器来量测 一第一高度轮廓之后,将该校正板旋转大体上180度 ; 在该旋转之后,再次移动该标记物至该对准位置; 在该旋转之后,使用该高度感应器来量测该校正板 之一第二高度轮廓; 基于该第一高度轮廓及该第二高度轮廓来确定该 高度感应器之一量测点相对于该对准位置之一位 置; 使用一辐射系统来提供一辐射光束; 使用一图案化结构,以根据一所要图案来图案化该 辐射光束;及 将该经图案化之光束投射至一层辐射敏感材料之 目标区上,其中该层辐射敏感材料至少部分地覆盖 一基板, 其中该投射过程包括基于该确定该高度感应器之 该量测点之一位置来定位该基板。 26.如请求项25之装置制造方法,其中该定位包括基 于该确定该高度感应器之该量测点之一位置来量 测该基板之一高度。 27.如请求项26之装置制造方法,其中该定位包括绕 着一平行于该基板之一表面的轴线来旋转该基板, 且 其中该旋转该基板系基于该确定该高度感应器之 一量测点之一位置。 28.一种校正方法,该方法包含: 提供一具有至少一对准标记物之校正板; 在一微影设备中,使用一对准感应器来定位该校正 板,使得该对准标记物在一第一X、Y位置中,且该微 影设备之一高度感应器之一量测点对应于一第二X 、Y位置; 使用该高度感应器来量测该校正板之一第一高度 轮廓; 将该校正板旋转大体上180度; 在该旋转之后,在该微影设备中使用该对准感应器 来定位该校正板,使得该对准标记物在该第一X、Y 位置中,且该高度感应器之该量测点对应于该第二 X、Y位置; 在该旋转之后,使用该高度感应器来量测该校正板 之一第二高度轮廓; 基于该第一高度轮廓及该第二高度轮廓来计算该 第一X、Y位置与该第二X、Y位置之间之一差异;及 基于该差异来校正该高度感应器。 29.一种校正一微影设备之一高度感应器(10)之一量 测点之一X、Y位置之方法,该方法包含: 提供一校正板(38),其包含藉由一X、Y对准感应器加 以定位之至少一对准标记物(40;81),及藉由该高度 感应器(10)加以量测之至少一高度轮廓; 在该微影设备中,使用该X、Y对准感应器来定位该 校正板(38),使得该对准标记物(40;81)在一第一X、Y 位置中,且该高度感应器(10)可量测一第二X、Y位置 中之一高度; 使用该高度感应器(10)来量测该至少一高度轮廓, 给出一第一量测得的高度轮廓; 执行一旋转,使得该校正板(38)相对于该X、Y对准感 应器及该高度感应器(10)之相对取向改变大体上180 度; 在该微影设备中,使用该X、Y对准感应器及该对准 标记物(40;81)来定位该校正板,使得该对准标记物( 40;81)在一与该第一X、Y位置具有一已知关系的第 三X、Y位置中,且该高度感应器(10)可量测一第四X 、Y位置中之一高度,其中该第三X、Y位置与该第四 X、Y位置之间之关系等于该第一X、Y位置与该第二 X、Y位置之间之关系。 使用该高度感应器(10)来量测该至少一高度轮廓, 给出一第二量测得的高度轮廓; 使用该第一量测得的高度轮廓及该第二量测得的 高度轮廓及该第三X、Y位置与该第一X、Y位置之间 的该已知关系来计算该第一X、Y位置与该第二X、Y 位置之间的差异(dAA_HS); 使用该差异(dAA_HS)来校正该量测点。 30.如请求项29之方法,其中藉由量测该第三X、Y位 置相对于该第一X、Y位置之位置,来了解该第三X、 Y位置与该第一X、Y位置之间的该关系。 31.如请求项29或30之方法,其中该第三X、Y位置与该 第一X、Y位置重合,且该第四X、Y位置与该第二X、Y 位置重合。 32.如请求项29或30之方法,其中在将该校正板旋转 大体上90度后,重复所提及之该等步骤。 33.如请求项29或30之方法,其中该至少一高度轮廓( 82)包含一第一平面及一第二平面,该第二平面相对 于该第一平面倾斜。 34.如请求项29或30之方法,其中该高度轮廓包含一 具有复数个倾斜及非倾斜平面之图案,该等倾斜平 面具有相对于该等非倾斜表面之若干斜率。 35.如请求项29或30之方法,其中该使用该第一量测 得的高度轮廓及该第二量测得的高度轮廓来计算 该第一X、Y位置与该第二X、Y位置之间之该差异( dAA_HS)的步骤包含: 在一大体上垂直于该第二量测得的高度轮廓之一y 轴线之任意镜射线(63)中,镜射该第二量测得的高 度轮廓中的全部高度(Z(y)),给出一镜射之高度轮廓 (64); 以一方式叠加该第一量测得的高度轮廓及该镜射 之高度轮廓(60、64),使得该第一高度轮廓及该镜射 之高度轮廓之起点(50M、50'M)处于一相同y位置; 以该y方向将该第一量测得的高度轮廓(60)移位一 特定移位量(shift_ y),直到发现该第一量测得的高 度轮廓与该镜射之高度轮廓(60、64)之一相同部分; 使用下式计算该第一量测位置与该第二量测位置 之间的该差异(dAA_HS): dAA_HS=shift_ y/2, 其中dAA_HS表示该第一X、Y位置与该第二X、Y位置之 间的该差异,而shift_ y为该特定移位量。 36.如请求项29或30之方法,其中该校正板包含至少 一参考区域,且其中该方法包含: 在将该校正板旋转大体上180度之前,量测该至少一 参考区域,给出一第三量测得的高度轮廓; 在旋转该校正板之后,量测该至少一参考区域,给 出一第四量测得的高度轮廓; 自该第二量测得的高度轮廓中,减去该第三量测得 的高度轮廓; 自该第一量测得的高度轮廓中,减去该第四量测得 的高度轮廓。 37.如请求项29或30之方法,其中该第一量测得的高 度轮廓包含一量测结果。 38.如请求项29或30之方法,其中该第二量测得的高 度轮廓包含一量测结果。 39.如请求项29或30之方法,其中该校正板系配置于 一基板上。 40.如请求项29或30之方法,其中该校正板系配置于 该基板台上。 41.一种配置用于执行如请求项29或30之校正方法的 校正基板,包含该校正板。 42.一种微影投影设备,其中使用如请求项29或30之 方法来校正一用以量测一基板之一高度之高度感 应器之一量测点之一X、Y位置。 43.一种装置制造方法,其包含以下步骤: 提供一基板; 使用一照明系统来提供一辐射投影光束; 使用图案化构件以赋予该投影光束一在其横截面 中之图案;及 将该经图案化之辐射光束投射至该基板之一目标 区上, 其特征为使用如请求项29或30之方法来校正一用以 量测一基板之一高度之高度感应器之一量测点之 一X、Y位置。 图式简单说明: 图1描绘了根据本发明之一实施例之微影设备; 图2更详细地描绘了图1之微影设备; 图3根据本发明之一实施例展示了一校正板之顶表 面的部分; 图4展示了图3之校正板之一量测得的高度轮廓; 图5根据本发明之一实施例展示了旋转后的校正板 之顶表面的部分; 图6展示了图3之校正板之一量测得的高度轮廓; 图7展示了图5之校正板之一量测得的高度轮廓; 图8根据本发明之另一实施例展示了一校正板之顶 表面的部分; 图9展示了根据图8之校正板旋转后之顶表面的部 分; 图10展示了图8之校正板之一量测得的高度轮廓; 图11展示了图9之校正板之一量测得的高度轮廓; 图12展示了图10之量测得的高度轮廓及图11之高度 轮廓的镜射版本; 图13展示了图12之高度轮廓,但第一高度轮廓被移 至右侧; 图14根据本发明之一实施例展示了一校正晶圆之 俯视图;及 图15展示了一可能的高度轮廓之侧视图。 |
