| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体之制造方法,该制造方法包括下 列步骤: 在一基板上形成一汲极及一源极金属层; 在该汲极及该源极金属层上覆上一层氧化矽层; 在该氧化矽层上执行一高温制程; 在该氧化矽层上覆上一层氮化矽层; 结合该氮化矽与该氧化矽层以形成一ILD层;以及 对该ILD层执行高温氢化制程; 藉由上述之步骤以便达成离子活化之效果,并使得 元件在高温氢化制程中得到充份之氢原子修补,进 而改善元件之特性表现与稳定。 2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该基 板系为一玻璃基板。 3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该高 温制程系为一快速高温制程(RTP)。 4.一种薄膜电晶体之制造方法,该制造方法包括下 列步骤: 在一基板上形成一汲极及一源极金属层; 在该汲极及该源极金属层上覆上一层氧化矽层; 在该氧化矽层上覆上一层氮化矽层; 结合该氮化矽与该氧化矽层以形成一ILD层;以及 对该ILD层执行高温氢化制程; 藉由上述之步骤以便达成离子活化之效果,并使得 元件在高温氢化制程中得到充份之氢原子修补,进 而改善元件之特性表现与稳定。 5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该基 板系为一玻璃基板。 图式简单说明: 图1(a)及(b)是一示意图,其分别绘示根据本发明之 一较佳实施例之薄膜电晶体制造方法之高温及氢 化制程之示意图。 图2(a)及(b)是一示意图,其分别绘示根据本发明之 另一较佳实施例之薄膜电晶体制造方法之高温及 氢化制程之示意图。 图3(a)及(b)是一示意图,其分别绘示根据本发明之 一较佳实施例之高温及氢化制程后所呈现之电性 表现之差异示意图。 图4(a)及(b)是一示意图,其分别绘示使用习知技术 在汲、源极完成后再执行氢化动作之示意图。 |
