| 摘要 |
Die magnetische Speichervorrichtung umfasst ein Element 54 mit Magnetowiderstandseffekt, das eine magnetische Schicht 42 mit einer in einer ersten Richtung festen Magnetisierungsrichtung, eine nicht magnetische Schicht 50, die auf der magnetischen Schicht 42 ausgebildet ist, und eine magnetische Schicht 52 enthält, die auf der nicht magnetischen Schicht 50 ausgebildet ist und eine in einer ersten Richtung magnetisierte erste magnetische Domäne und eine zweite magnetische Domäne aufweist, die in einer zur ersten Richtung entgegengesetzten zweiten Richtung magnetisiert ist; und eine einen Schreibstrom anlegende Schaltung, um einen Schreibstrom in der zweiten magnetischen Schicht 52 in der ersten Richtung oder der zweiten Richtung fließen zu lassen, um eine Magnetdomänenwand zwischen der ersten magnetischen Domäne und der zweiten magnetischen Domäne zu verschieben, um eine Magnetisierungsrichtung eines Teils der magnetischen Schicht 52 der magnetischen Schicht 42 gegenüberliegend zu steuern.
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