Technik zur Bereitstellung von Verspannungsquellen in MOS-Transistoren in unmittelbarer Nähe zu einem Kanalgebiet

摘要

Ein verformtes Halbleitermaterial wird in unmittelbarer Nähe an dem Kanalgebiet eines Transistors, etwa eines SOI-Transistors, angeordnet, wobei unerwünschte Relaxationsauswirkungen von Metallsiliziden und Erweiterungsimplantationen reduziert oder vermieden werden, wodurch auch eine erhöhte Effizienz für die Verformungserzeugung erreicht wird.