发明名称 Verfahren zur Herstellung von Speicherbauelementen und Halbleiterspeicherbauelement
摘要 Um die unteren seitlichen Kanten der Gate-Elektroden ausreichend nahe über den Source-/Drain-Bereichen (8) anzuordnen, werden die Gate-Elektroden seitlich mit elektrisch leitfähigen Spacern (7) versehen, bevor die Source-/Drain-Bereiche implantiert werden, oder es wird eine in streifenförmige Anteile strukturierte Hartmaske mit Seitenwandspacern versehen, der Dotierstoff für Source und Drain implantiert, Zwischenräume zwischen der Hartmaske mit dielektrischem Material aufgefüllt, die Hartmaske entfernt und die dadurch entstehenden Öffnungen mit dem für die Gate-Elektroden vorgesehenen elektrisch leitfähigen Material gefüllt.
申请公布号 DE102006030015(A1) 申请公布日期 2007.10.11
申请号 DE200610030015 申请日期 2006.06.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 CASPARY, DIRK;RIEDEL, STEPHAN;PARASCANDOLA, STEFANO
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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