摘要 |
Um die unteren seitlichen Kanten der Gate-Elektroden ausreichend nahe über den Source-/Drain-Bereichen (8) anzuordnen, werden die Gate-Elektroden seitlich mit elektrisch leitfähigen Spacern (7) versehen, bevor die Source-/Drain-Bereiche implantiert werden, oder es wird eine in streifenförmige Anteile strukturierte Hartmaske mit Seitenwandspacern versehen, der Dotierstoff für Source und Drain implantiert, Zwischenräume zwischen der Hartmaske mit dielektrischem Material aufgefüllt, die Hartmaske entfernt und die dadurch entstehenden Öffnungen mit dem für die Gate-Elektroden vorgesehenen elektrisch leitfähigen Material gefüllt.
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