Verfahren zur Herstellung eingebetteter Drain/Source-Gebiete auf der Grundlage eines Prozesses zum kombinierten Ätzen von Abstandshaltern und einer Aussparung

摘要

Durch Strukturieren eines Abstandsschichtstapels und Ätzen einer Aussparung in einem in-situ-Ätzprozess wird die Prozesskomplexität sowie die Gleichförmigkeit während des Bildens eingebetteter verformter Halbleiterschichten deutlich verbessert. In einer anfänglichen Phase wird der Abstandsschichtstapel auf der Grundlage eines anisotropen Ätzschrittes mit einem hohen Maß an Gleichförmigkeit strukturiert, da eine Selektivität zwischen einzelnen Stapelschichten nicht erforderlich ist. Danach wird ein Reinigungsprozess ausgeführt, an den sich ein Ätzprozess für Aussparungen anschließt, wobei eine geringere Überätzungszeit während des Strukturierungsprozesses für Abstandshalter deutlich zu der Gleichförmigkeit der schließlich erhaltenen Aussparungen beiträgt, während die in-situ-Natur des Prozesses auch eine reduzierte Gesamtprozesszeit ermöglicht.